Cтраница 5
Этот важный результат объясняет причину достижения более сильных полей в легированных полупроводниках. Он находит подтверждение также в работах, где этот вопрос специально исследовался. Например, в [44] было обнаружено, что одномодовый режим существует до I / Ith2 в ПЛ, легированных до концентраций 1 019 см-3. В то же время при слабом легировании ( концентрация примесей 7 - Ю17 см-3) наблюдался многомодовый режим при незначительном превышении порога. [61]