Cтраница 1
Очень сильные поля должны образоваться на концах иголочек, показанных на фиг. Таким образом, сама геометрия иголочек способствует продолжению их роста. [1]
Для очень сильных полей поступающий газ, дающий изображение, может стать ионизированным до столкновения с поверхностью на некотором расстоянии от хс. На этой стадии процесс ионизации уже не зависит непосредственно от атомарной структуры, и изображение расплывается. [2]
В области очень сильных полей ( V), когда можно считать законченными все процессы смещения и вращения, наблюдаются лишь ничтожно малые приращения намагниченности вследствие парапро-цесса. [3]
Исключение составляют только очень сильные поля. Но и здесь неприятное покалывание, которое можно заметить, гуляя около высоковольтной линии передачи, не позволит нам даже приблизительно оценить величину электрического напряжения в линии. [4]
Рассмотрим теперь случай очень сильных полей. После того как это произойдет для всех трех групп электронов ( / 1, 2, 3), кристалл должен был бы стать изолятором, электропроводность которого экспоненциально убывала бы с усилением магнитного поля. Если магнитное поле перпендикулярно к бинарной оси кристалла, то это должно было бы получаться уже начиная с Н - 30 кгс, при других положениях - в более сильных полях; если магнитное поле направлено по бинарной оси, то - при полях, в несколько десятков раз больших. [5]
![]() |
Зависимость магнитной проницаемости / г от напряженности.| Элементарная кристаллическая ячейка железа и ее. [6] |
В случае же очень сильных полей наступает магнитное насыщение, и применение ферромагнетиков делается практически бесполезным. [7]
Сверхпроводящие соленоиды могут создавать очень сильные поля, которые позволят в значительной степени уменьшить габариты и потребление энергии в синхрофазотронах и других ускорителях элементарных частиц. [8]
Таким образом, необходимы очень сильные поля и вследствие сильного нагревания удобно применять их только в течение очень короткого времени. [9]
В другом предельном случае очень сильных полей значения моментов функции распределения также могут быть просто найдены. [10]
Величина о даже в случае очень сильных полей д - Ю8 гаусс имеет порядок о-1013 сек-1, в то время как частота колебаний электрона в атоме ( оптический спектр) о0 - 101в сек-1. Поэтому соотношение о ю0 практически всегда имеет место. [11]
Ионизацию соударениями положительных ионов рационально учитывать только в случае очень сильных полей. Что касается отрицательных ионов, то в сильных полях при их соударениях с нейтральными частицами газа взаимодействие с последними приводит к распадению отрицательного иона на нейтральную частицу и электрон, а не к ионизации нейтральной частицы, так как работа отрыва электрона от отрицательного иона много меньше, чем работа ионизации нейтральной частицы. Вместе с тем, свободный электрон, оторванный от отрицательного иона, может совершить акт ионизации прежде, чем он успеет вновь примкну т i к нейтральной частице газа. [12]
Для искрового разряда ( в частности, и молнии) характерны очень сильные поля и короткие характерные времена. За его образование отвечают множественные электронные лавины, развитие которых происходит не совсем так, как в тлеющем разряде. Начало лавине дает акт фотоионизации фотоном, испущенным какой-то предыдущей лавиной. Поскольку фотоны, в отличие от электронов, распространяются со скоростью света, развитие стримера идет намного быстрее, чем единичной электронной лавины. [13]
Зависимость (1.20) является очень грубым упрощением, справедливым лишь для не очень сильных полей и изотропных сред. [14]
Соотношения ( 12), ( 13) перестают быть верными для очень сильных полей, приближающихся к микрополям в среде. Для плотности тока j та же степень приближения, что в ( 12), ( 13), дается законом Ома, который может быть сформулирован как утверждение, что плотность тока в данной точке среды пропорциональна силе, с которой усредненное по микроструктуре электромагнитное поле действовало бы в этой точке среды на единичный положительный заряд, движущийся вместе со средой. [15]