Cтраница 1
Сверхтонкие поля в месте расположения электрона могут достигать нескольких десятков гаусс. [1]
Величины сверхтонких полей на ядрах РЗЭ были найдены для некоторых соединений [105 - 108]), и оказалось, что они очень близки к величинам, характерным для свободных ионов. [2]
Для вычисления сверхтонких полей в комплексных ионах и молекулах необходимо учитывать вклад от частичного заполнения 45-орбитали железа, обусловленный контактным взаимодействием этих электронов, распариваемых из-за смешивания с За ( - оболочкой и поляризации ею. [3]
Теперь рассмотрим измерения сверхтонких полей на ядрах редкоземельных элементов в интерметаллических соединениях и обсудим основные выводы, сделанные на основе этих измерений. [4]
Оценивая магнитное сверхтонкое расщепление, полезно рассмотреть сверхтонкие поля ( как это определено выше), а не константы взаимодействия, потому что ядерные магнитные моменты в общем случае изменяются более чем в 10 раз. В актиноидах неспаренные 5 / - электроны участвуют в образовании сверхтонкой структуры. [6]
Кроме того, необходимо учитывать различия величин сверхтонких полей для ионов, находящихся в различном окружении, из-за эффекта ковалентности связей, как это иллюстрируют результаты Вирингена [46] для сверхтонких полей в ионах Мп2 в различном окружении лигандов, приводимые ниже. [7]
В работе [145] проведено обсуждение возможных интерпретаций этих сверхтонких полей для железа в стеклах в свете данных по электронному парамагнитному резонансу. [8]
Сформулированная в предыдущем разделе программа расчетов вероятности рекомбинации радикалов наиболее полно реализована пока только применительно к сильным магнитным полям Н 103 Э, которые превосходят локальные сверхтонкие поля. В этом случае задача значительно упрощается вследствие того, что эффективно проявляется только один канал синглет-триплетных переходов - интеркомбинационный S - Г0 - переход. [9]
В абсорбционном варианте методики для получения источников с нерасщепленной, возможно более узкой линией излучения радиоактивные родительские ядра помещают в матрицу, кристаллическая решетка которой не создает сверхтонких полей, расщепляющих ядерный уровень дочернего мессбауэровского ядра. С другой стороны, важно, чтобы дебаевская температура кристалла матрицы была максимальна. При этом в соответствии с формулой (12.2.2) максимальна доля мессбауэровской компоненты гамма-излучения. Активность источников обычно выбирается в пределах от единиц до нескольких сотен милликюри. [10]
Кроме того, необходимо учитывать различия величин сверхтонких полей для ионов, находящихся в различном окружении, из-за эффекта ковалентности связей, как это иллюстрируют результаты Вирингена [46] для сверхтонких полей в ионах Мп2 в различном окружении лигандов, приводимые ниже. [11]
![]() |
Угловая и температурная зависимости атомной ( а и ядерной ( б амплитуд рассеяния. [12] |
В том случае, когда ядерные уровни мессбауэровских атомов, рассеивающих у-юванты кристалла, имеют сверхтонкую структуру, обусловленную магнитными или электрическими взаимодействиями ядра с окружающими его электронами, разрешенные мессбауэ-ровские переходы имеют особенность, состоящую в существовании угловых зависимостей интенсивности компонент мессбауэров-ского спектра относительно направления сверхтонких полей на ядре. [13]
Одним из интересных следствий магнитных эффектов в радикальных реакциях является предсказание так называемого магнитного изотопного эффекта, существенно отличающегося по своей природе от обычного кинетического изотопного эффекта, связанного с различием масс изотопов. В случае магнитного изотопного эффекта причиной различия скоростей является различие сверхтонких полей ядерных изотопов. Само это явление было предсказано еще в 1971 г. к уже цитировавшейся работе [2], однако до последнего времени в литературе отсутствовали сообщения о его наблюдении. [14]
В Sd-группе поля такой величины не обнаружены. Некоторые элементы Sd-группы ( Ir, Os, Pt и Аи), будучи растворенными в железе, имеют сверхтонкие поля - 1 3 - 106 э и меньшие поля в других ферромагнетиках. Во всех этих элементах поля, очевидно, возникают благодаря контактному ферми-взаимодействию электронов проводимости ( 6s) с внутренними s - электронами поляризованного остова. Предполагают, что эту же величину поля, вероятно, можно ожидать в парамагнитных комплексах элементов Sd-группы. [15]