Импульсные поля
Cтраница 1
Импульсные поля длительностью 10 - 2 сек создаются разрядом батареи конденсаторов через соленоид. Соленоид имеет две секции, в зазоре между которыми находится кварцевый стержень, соединяющий образец с датчиком. [1]
При генерации импульсных полей с индукцией несколько сот тесла Vt составляет 1 - 10 км / с, а именно эта скорость и есть один из основных факторов [ см. (3.20) ], которые ограничивают амплитуду поля и длительность импульса. [2]
 |
Блок-схема установки для определения ха - рактеристик в импульсном режиме перемагничи-вания. [3] |
Для создания импульсных полей большей величины авторы разработали специальный генератор прямоугольных импульсов с большим внутренним сопротивлением ( более 500 ом), ч го исключает влияние реакции образца на величину и форму импульсов. [4]
 |
Схема кюветы для измерения гиперполяризуемости жидкости в присутствии постоянного электрического поля. [5] |
Чаше всего используются импульсные поля, чтобы избежать нагрева образца постоянным током. [6]
 |
Области действия механизмов перемагничивания ферромагнитной пленки с одноосной анизотропией. [7] |
При длительном воздействии импульсных полей, приложенных по оси Т, и наличии совпадающих по времени импульсных или постоянных полей по оси Л плоские пленки размагничиваются в результате ползания границ. В интервале толщин 0 - 400 А чувствительность пленок к воздействию импульсных полей мала, в интервале 400 - 1100 А максимальна, а выше 1100 А практически не зависит от толщины. [8]
Как ни велик объем информации, который можно получить о веществе с помощью импульсных полей, всегда останется работа для постоянных полей. Во-первых, потому, что изучению свойств проводящих сред в импульсном режиме мешают принципиально неустранимые индукционные токи. Во-вторых, и для слабопроводящих веществ не всегда удается обеспечить изотермичность процессов, порождаемых импульсным магнитным полем, что в ряде случаев существенно затрудняет получение чистых полевых зависимостей из экспериментальных данных. Кроме того, как уже отмечалось, постоянные СМП практически немоделируемы с помощью импульсных, если стоит задача изучить воздействие магнитного поля на такие сложные и медленно протекающие процессы, как динамика проводящих жидкостей, рост кристаллов, некоторые химические реакции, отдельные биофизические процессы или жизнедеятельность организма в целом. Прогресс техники постоянных магнитных полей немыслим без освоения новых материалов ( особенно сверхпроводников), первичные сведения о свойствах которых в сильных полях нельзя получить иначе, как с помощью тахники импульсных СМП достаточно большой длительности. [9]
Интенсивность такого осаждения всегда выше при намагничивании постоянным полем, чем переменным, и практически отсутствует при использовании импульсных полей. [10]
Во многих случаях было найдено, что антиферромагнитную связь можно разрушить, приложив относительно слабое поле ( фиг. Последние величины измерили Тейлор и Примавези [296], применяя импульсные поля. [11]
 |
С ( К-зависимости емкостного триода при различных напряжениях на управляющем электроде, создающем краевую инверсию ( 1 Мгц. О - 0. Д - 33. П - 35. х - 37. - 38 в. [12] |
Другой причиной может быть расползание зарядов на внешней поверхности окисла, обусловленное уже влиянием приложенного к металлическому электроду отрицательного смещения. Такого рода эффекты краевых полей могут быть особенно существенны при прикладывании импульсных полей, вызывающих вначале глубоко проникающее в образец ( и рассеивающееся по краям) неравновесное истощение. Тогда для малых размеров контрэлектродов и не слишком низкоомных подложек рассеянное краевое поле может создать канал на расстоянии от края электрода, соизмеримом с размером самого электрода. [13]
 |
Области действия механизмов перемагничивания ферромагнитной пленки с одноосной анизотропией. [14] |
При длительном воздействии импульсных полей, приложенных по оси Т, и наличии совпадающих по времени импульсных или постоянных полей по оси Л плоские пленки размагничиваются в результате ползания границ. В интервале толщин 0 - 400 А чувствительность пленок к воздействию импульсных полей мала, в интервале 400 - 1100 А максимальна, а выше 1100 А практически не зависит от толщины. [15]
Страницы: 1 2