Импульсные магнитные поля

Cтраница 1

Принципиальная схема.| Эпюры напряжений и тока. [1]

Импульсные магнитные поля находят все большее применение в технике физического эксперимента и в современной технологии. Это связано с тем, что, с одной стороны, в ряде физических задач, в частности для исследований по управляемому термоядерному синтезу, в различных разделах ядерной физики, в технике сильноточных пучков заряженных частиц и многих других наличие магнитного поля достаточно в течение довольно малого промежутка времени, обычно менее 0 1 с. С другой стороны, импульсный метод создания магнитного поля часто оказывается более простым, чем создание постоянного поля такой же напряженности, а при напряженности более 10 Тл остается пока единственно возможным. [2]

Схема установки для определения напряженности магнитного поля и магнитной индукции баллистическим методом. [3]

Импульсные магнитные поля напряженностью до 8 - Ю7 А / м получают в результате кратковременного мощного токового разряда. [4]

Иногда ЦТС могут быть установлены близко от источников импульсных магнитных полей. Такими источниками, например, могут стать провода сети питания при быстрой коммутации больших токов нагрузки. [5]

Сильные термомеханические и электромагнитные эффекты возникают в телах-проводниках за счет периодических и импульсных магнитных полей и джоулева тепла. [6]

Воронков и Д.Е. Громзин [123] предложили интересный вариант резонансного метода измерения напряженности импульсных магнитных полей, в котором используется как ферромагнитный ( ФМР), так и антиферромагнитный ( АФМР) резонанс. [7]

Схема тесламетра с электроннолучевой трубкой. [8]

Следует заметить, что описываемые приборы могут быть использованы также для измерений импульсных магнитных полей. [9]

Зависимость тока от индукции магнитного поля при различных значениях прямого напряжения. [10]

Сопротивление магнитодиода очень чувствительно к изменению температуры, что используется для обнаружения изменений импульсных магнитных полей в приборах, применяемых в области относительно низких температур. [11]

Блок-схема установки. [12]

Установка снабжена дополнительной батареей ( 3 кв, 1300 мкф) для получения импульсных магнитных полей, постоянным магнитом с максимальным полем 10 кэрст и соленоидом, охватывающим разрядную камеру и создающим максимальное поле в центре 6 4 кэрст. Магнит и соленоид включаются контактором, управляемым времязадающей схемой. [13]

Необходимая конфигурация - цилиндрический домен внутри полосовой доменной структуры - создавалась определенной последовательностью приложения импульсных магнитных полей вдоль и перпендикулярно поверхности пленки. [14]

Метод, основанный на эффекте Холла, позволяет непосредственно измерять магнитную индукцию или напряженность постоянных, переменных и импульсных магнитных полей. Гальваномагнитный эЪфект Холла состоит в следующем. [15]

Страницы: 1 2 3