Cтраница 3
Рассматриваются стационарные электрические и магнитные поля. [31]
![]() |
Влияние вибраций на си-лоизмеритель. [32] |
Влияние электрических и магнитных полей Переменные электрические ( Е) или магнитные ( Я) поля являют-ся пропорциональными влияющими величинами 1-го рода. [33]
Источниками электрических и магнитных полей являются электрические заряды и токи. [34]
Влияние электрических и магнитных полей можно уменьшить, используя металлический экран, соединенный с одним из зажимов измеряемого объекта, что позволяет стабилизировать в определенной степени емкостные связи с окружающими предметами и, следовательно, устранить их влияние расчетным путем или компенсацией в измерительной цепи. [35]
Расчет электрических и магнитных полей, Изд-во иностр. [36]
Действие электрических и магнитных полей вызывает дрейф электронов к поверхности коллиматора и пучок становится трубчатым, рис. 1.20. Профиль пучка за коллиматором зависит от граничных условий, в частности, от потенциала коллектора. [38]
Связь электрических и магнитных полей с функцией распределения осуществляется с помощью уравнений Максвелла. [39]
Расчет электрических и магнитных полей, Изд-во иностр. [40]
Действию электрических и магнитных полей на процесс зарождения кристаллов посвящено довольно большое число работ. Установлено [81, 84], что под действием постоянного электрического поля максимумы на кривой зависимости скорости зарождения от температуры сдвигаются в сторону низких температур. Причем процесс зарождения зависит от направления электрического поля. [41]
Расчет электрических и магнитных полей, Изд-во иностр. [42]
![]() |
Влияние вибраций на си-лоизмеритель. [43] |
Влияние электрических и магнитных полей Переменные электрические ( Е) или магнитные ( Я) поля являют-ся пропорциональными влияющими величинами 1-го рода. [44]
Источниками электрических и магнитных полей являются электрические заряды и токи. [45]