Сильный электрические поля
Cтраница 2
 |
Схема источника полевой ионизации. [16] |
В методе полевой ионизации используют сильные электрические поля ( напряженностью порядка 108 В / см), в которых ионизация атомов или молекул осуществляется путем отрыва от них электронов. Здесь удаление электронов происходит по механизму квантово-механического туннелирования; ионизация является следствием деформации потенциальных барьеров под воздействием сильного электрического поля. [17]
Электрон, находящийся в области действия сильных электрических полей, связывающих его с какими-либо конкретными атомами или молекулами, называется связанным. Если же электрон на каком-то участке пространства может свободно перемещаться вне связи с какими-либо атомами или системами атомов, то такой электрон можно приближенно считать свободным. Движение электронов в относительно слабых полях можно достаточно точно описать на основе законов механики. [18]
Свет люминофорами может излучаться при действии сильных электрических полей. Устройство электролюминесцентного излучателя достаточно простое: на металлическое основание напыляется слой ( 10 - 20 мкм) полупроводника ( например, сульфида цинка), поверх которого наносится прозрачный слой металла. При подключении к металлическим слоям переменного или постоянного напряжения возникает зеленовато-голубое свечение, яркость которого пропорциональна напряжению питания. Если в состав люминофора входит селенид цинка, то можно получить белое, желтое или оранжевое свечение. [19]
Изоляция оборудования высокого напряжения подвергается воздействию сильных электрических полей не только при различных видах перенапряжений, но и при рабочем напряжении. [20]
 |
Переход электронов. в зону проводимости при туннельном эффекте. [21] |
Сущность его состоит в том, что достаточно сильные электрические поля могут вызвать прямые электронные переходы между зоной проводимости и валентной зоной. [22]
Проводки из металлических труб прокладывают вдали от сильных электрических полей; если это требование выполнить нельзя, трубные проводки заземляют на обоих концах, а в местах разъемных соединений устанавливают перемычки из стальной или медной проволоки, обеспечивающие надежную электрическую цепь по обе стороны соединения. Металлические трубы, входящие в пожаро - или взрывоопасные помещения снаружи, заземляют перед вводом в помещения. [23]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника в сильном электрическом поле. [24] |
Ударная гейерацйя носителей заряда наблюдается при наличии сильных электрических полей, напряженностью порядка 105 - 10е В / см. Создать такое поле за счет внешней разности потенциалов в однородном полупроводнике весьма трудно, так как даже при размерах кристалла около 0 1 мм требуется разность потенциалов в несколько сотен или тысяч вольт. В полупроводниковых приборах, однако, электрические ноля такой величины наблюдаются в областях электронно-дырочных переходов или других неоднородностей и процесс ударной генерации лежит в основе работы ряда полупроводниковых приборов. [25]
Проводки из металлических труб прокладывают вдали от сильных электрических полей. [26]
 |
Герметизированный проход трубных проводок через стены. [27] |
Проводки из металлических труб44 прокладывают вдали от сильных электрических полей; если это требование выполнить нельзя, трубные проводки заземляют на обоих концах, а в местах разъемных соединений устанавливают перемычки из стальной или медной проволоки, обеспечивающие надежную электрическую цепь по обе стороны соединения. Металлические трубы, входящие в пожаро - или взрывоопасные помещения снаружи, заземляют перед вводом в помещения. [28]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника в сильном электрическом поле. [29] |
Ударная гейерацйя носителей заряда наблюдается при наличии сильных электрических полей, напряженностью порядка 105 - 10е В / см. Создать такое поле за счет внешней разности потенциалов в однородном полупроводнике весьма трудно, так как даже при размерах кристалла около 0 1 мм требуется разность потенциалов в несколько сотен или тысяч вольт. В полупроводниковых приборах, однако, электрические ноля такой величины наблюдаются в областях электронно-дырочных переходов или других неоднородностей и процесс ударной генерации лежит в основе работы ряда полупроводниковых приборов. [30]
Страницы: 1 2 3 4