Cтраница 2
При этом к основным механизмам процессов охрупчивания относится субструктурное упрочнение, обусловленное контактными и барьерными торможениями дислокаций, а также возникновением дальнодействующих полей напряжений в результате скопления в металле дислокаций одного знака. К основным механизмам также относятся: блокировка дислокаций примесными атомами, упрочнение ферритной фазы в результате перехода атомов углерода в тетраэдрические пустоты ОЦК-решетки, образование зародышей новых карбидных частиц и воздействие водорода на энергию связи атомов в кристаллической решетке и с дислокациями в металле труб. [16]
Дальнейшее снижение внешней нагрузки до уровня т, соответствующего сопротивлению, которое преодолевает дислокация при движении между точками закрепления ( в области основного влияния дальнодействующих полей напряжений), ведет к резкому снижению скорости движения дислокации вследствие малой вероятности термоактивируемых процессов преодоления барьеров на ее пути. [17]
Это соответствует концепции низкоэнергетических субструктур [134, 154], согласно которой с ростом плотности дислокаций их перестройка такова, что в каждой последующей дислокационной субструктуре экранирование дальнодействующих полей напряжений происходит все более эффективным образом. [19]
Было установлено, что обработка травлением приводит, во-первых, к значительному деформационному упрочнению ферритной составляющей структуры, во-вторых, к увеличению концентрации источников дальнодействующих полей напряжений. Источниками даль-нодействующих полей напряжений кривизны-кручения кристаллической решетки материалов, как показали настоящие исследования, служат несовместимость деформаций на границах зерен феррита и перлитных колоний, наличие дислокационных зарядов и активных микротрещин. Микротрещины, прежде всего, наблюдаются по границам фсрритшлх зерен и, заметно реже, ио границам перлитных колоний, Охрупчивание границ зерен по всей видимости обусловлено проникновением в них водорода. Важно отметить, в связи с этим, что в стали, прошедшей предварительную механическую обработку поверк-ности, образование микронор и микротрещин а процессе волочения и холодной осадки не наблюдалось. [20]
![]() |
Лауэграмма деформированного графитового монокристалла после отжига ( 2800 С, 2 ч.| Схема распределения дислокаций в деформированном изгибом кристалле. [21] |
Избыточные дислокации одного знака, не встретившиеся с дислокациями противоположного знака, под влиянием упругого взаимодействия образуют границы, перпендикулярные плоскости скольжения и не вызывающие появления дальнодействующих полей напряжения. [22]
Считается, что деформационное упрочнение может быть в основном обусловлено двумя факторами: а) образованием барьеров типа барьера Л - К [122, 491]; б) следствием дальнодействующих полей напряжений и взаимодействия дислокаций в стенках ячеек. [23]
![]() |
Зависимости относи. [24] |
Как было показано выше, в результате ИПД в различных материалах формируются болыпеугловые границы зерен, содержащие высокую плотность неравновесных зернограничных дефектов и в результате имеющих разупорядоченную структуру, повышенную энергию и дальнодействующие поля напряжений. [25]
В последнее время активно исследуется возможность создания эффективных излучающих устройств на основе гетероструктур SiGe / Si, содержащих достаточно регулярные сетки дислокаций несоответствия, которые эффективно захватывают неравновесные носители заряда и экситоны за счет создаваемых вокруг них достаточно дальнодействующих полей упругих напряжений. Наблюдаемая при этом локализация носителей способствует появлению так называемой дислокационной люминесценции, в частности на длине волны - 1 53 мкм. Природа этого явления еще далеко не ясна. Но достаточно надежно установлено, что дислокационная люминесценция возникает в сетке дислокаций несоответствия, имеющей достаточно большое количество пересечений дислокаций из разных плоскостей скольжения. [26]
Такое построение случайных границ вызывает возникновение дальнодействующих полей напряжений в результате упругих искажений ( деформаций) в районе отдельных сегментов повторяемости. Дальнодействующие поля напряжений играют важную роль во взаимодействии случайных границ. Эта модель объясняет причины повышенной концентрации вакансий на границе. [27]
![]() |
Неравновесная граница зерна, содержащая сетку хаотически распределенных краевых внесенных зернограничных дислокаций. [28] |
ЗГД; 2) ансамбли скользящих ЗГД и 3) неупорядоченные сетки ЗГД, являющиеся результатом неоднородного попадания решеточных дислокаций в границы. Все эти системы дефектов создают дальнодействующие поля напряжений, радиус экранировки которых намного превышает ширину границ зерен. Каждый из этих неравновесных ансамблей дислокаций в границах зерен дает независимый вклад в упругие деформации, избыточную энергию и объемное расширение наноструктурных материалов. [29]
Мартенситное превращение всегда связано со значительными деформациями и, как правило, осуществляется в неоднородной многофазной системе, обладающей различными дефектами структуры. Поэтому в ходе превращения возникают упругие дальнодействующие поля, существенно влияющие на его термодинамику. [30]