Поляризация - решетка
Cтраница 2
Граничный радиус г был получен приравниванием - е2 / е () гп к потенциалу в центре вакансии, определенному с учетом отсутствия иона и поляризации решетки. [16]
В этом случае взаимодействие между поляронами принимает в точности вид взаимодействия двух точечных зарядов в статически поляризованной решетке ( ео ест вч) Обе частицы движутся столь медленно, что успевает полностью установиться поляризация решетки. [17]
Изменение дипольного момента Ар является результатом нескольких независимых процессов: перераспределения заряда на возбужденных орбиталях хрома, смещения иона Gr34 вследствие образования связей возбужденного состояния Gr3 с нечетными модами колебаний решетки и диполя, индуцированного поляризацией окружающей решетки кристалла. [18]
Если подставить в ( 2) выражения для Gs ( - k) и GS ( k) из ( l) r то члены, содержащие квадраты е и е %, дадут сумму энергий поляризации решетки этими зарядами в отдельности, а слагаемое с BI e2 и даст вклад поляризации решетки в энергию взаимодействия этих зарядов. [19]
Если подставить в ( 2) выражения для Gs ( - k) и GS ( k) из ( l) r то члены, содержащие квадраты е и е %, дадут сумму энергий поляризации решетки этими зарядами в отдельности, а слагаемое с BI e2 и даст вклад поляризации решетки в энергию взаимодействия этих зарядов. [20]
Маделунга для иона на грани ( 001), причем а 1 68; е - заряд электрона; г - расстояние между ионами; R та R ( о) - энергия отталкивания между 02 - ( о), иО - ( о), соответственно, и их соседями; w ( о) - энергия поляризации решетки, обусловленная недостатком заряда у 0 - ( о); Е2 - энергия перехода 02 - ( г) - - 0 - ( г) е; ( о) характеризует состояние в твердом теле. [21]
При 0.1 % Мп2 не происходит обмена молекул воды между местами в непосредственном соседстве с ионами марганца и водой, локализованной в других местах. Можно думать, что здесь играет роль поляризация решетки цеолита ионами марганца. При более высоких степенях обмена ( 2, 6, 33 %) этот эффект увеличивается и одновременно происходит обмен с молекулами, находящимися в непосредственном соседстве с марганцем. Обнаруженная нами зависимость от заполнения ( при величине обмена 2 %) показывает, что ионы марганца связывают воду не пропорционально количеству ее в цеолите, а в большей степени. Это означает, что в этом случае ионы марганца находятся также и в более доступных для воды местах. Измерения позволили установить, что часть ионов марганца в течение полугода продиффундировала в места решетки цеолита, недоступные для молекул воды. Найденные значения времени релаксации можно объяснить тем, что ионы марганца более доступны для воды на внешней поверхности, чем внутри микрокристаллитов. [22]
 |
Взаимодействие электронов через фонок.| Через фононы взаимодействуют лишь электроны, лежащие в слое толщиной 2ДЛ около поверхности Ферми. [23] |
Фонон, которым обмениваются электроны, называют виртуальным фононом. В отличие от реального фонона он связан с поляризацией решетки и может существовать только при переходе от одного электрона к другому. В противоположность реальным фо-нонам виртуальные фононы не могут распространяться в решетке независимо от этих электронов. [24]
Там было показано, что электрон, движущийся в ионном кристалле, создает вокруг себя облако поляризации решетки. [25]
 |
Энергия электрона в кристаллической решетке, приведенная к первой зоне Бриллюэна.| Структура энергетических зон Ое, Si и. [26] |
В некоторых случаях одноэлектронное приближение, положенное в основу описания явлений в наиболее распространенных полупроводниках и металлах, оказывается несправедливым. Это может быть в том случае, когда движение электронов в твердом теле коррелировано, и влияние всех электронов на данный не может быть заменено Созданным ими усредненным полем. Может также оказаться, что движение электронов приводит к устойчивой деформации расположения ионов в решетке, что в свою оче - редь влияет на движение этих электронов. Комбинация электрона и созданной им поляризации решетки носит название по-лярона. [27]
Второй электрон, находящийся неподалеку, притягивается к поляризованной области, а следовательно, к первому электрону. В определенной ситуации притяжение электронов может стать сильнее их кулоновского отталкивания. Поскольку электроны движутся с очень высокими скоростями, поляризация решетки не является статической. [28]
С электростатической точки зрения явление притяжения электронов объясняется следующим образом. Электрон, движущийся в решетке, притягивает положительные ионы остова кристаллической решетки, сближая их. В результате вдоль пути электрона образуется избыточный положительный заряд, к которому притягиваются другие электроны. Таким образом, возникновение силы притяжения между электронами обусловлено поляризацией решетки. [29]
Четвертая глава посвящена описанию взаимодействия электронов с колебаниями решетки. Особенно интересен здесь эффект возникновения поляризации ионной решетки вокруг электрона при его движении в кристалле типа Csl. При этом вновь возникает представление о квазичастице - поляроне. Так называют электрон, одетый зарядом, создаваемым окружающим его полем поляризации решетки. Далее в этой главе рассматриваются и другие квазичастицы - поляритоны. Глава заканчивается описанием влияния электронного газа на структуру решетки. [30]
Страницы: 1 2 3