Cтраница 2
В неоднородных диэлектриках на низких частотах возникает миграционная поляризация, изменяющая е на Аемцг, и связанные с ней потери, имеющие максимум на частоте релаксации миграционной поляризации ир. [16]
![]() |
Частотные зависимости е и е при резонансной дисперсии. [17] |
В диэлектриках, содержащих проводящие включения, вместе с миграционной поляризацией наблюдаются дополнительные релаксационные потери, а в диэлектриках, содержащих газовые включения, - ионизационные потери. [18]
В диэлектриках, содержащих проводящие включения, вместе с миграционной поляризацией наблюдаются дополнительные миграционные потери, а в диэлектриках, содержащих газовые включения, - ионизационные потери. [19]
![]() |
Зависимость диэлектрической проницаемо. [20] |
В резко неоднородных диэлектриках, в частности в диэлектриках с включением воды, наблюдается явление миграционной поляризации ( см. также стр. Процессы установления миграционной поляризации сравнительно весьма медленны и могут протекать на протяжении минут и даже часов. [21]
Анализ полученных результатов показал, что дисперсия диэлектрических свойств гидратированного адсорбента представляет собой суперпозицию процесса дебаевской релаксации адсорбированных молекул воды, миграционной поляризации адсорбционной фазы и сквозной электропроводности системы. Два последних процесса возникают при заполнениях, больших 0 8 БЭТ-монослоя. [22]
Автор уже привел три эмпирические формулы, касающиеся диэлектрического поглощения, когда при наложении или снятии электрического поля происходит возникновение или исчезновение миграционной поляризации. Модель пространственных зарядов, находящихся на границах кристаллитов ( зерен) в поликристаллическом теле, была показана на рис. 2 - 3 - 2 г. При этом мы исходили из следующих трех предпосылок. [23]
В неоднородных диэлектриках на низких частотах возникает миграционная поляризация, изменяющая е на Аемцг, и связанные с ней потери, имеющие максимум на частоте релаксации миграционной поляризации ир. [24]
Частотные зависимости ег и & приведены на рис, 2 - 5 - 7, Четко прослеживается такое явление, как резкое увеличение ig б в низкочастотной области, что обусловлено действием миграционной поляризации. [25]
Миграционная поляризация обусловлена миграцией зарядов в проводящих включениях и их накоплением на границах неоднородностей. Процесс миграционной поляризации устанавливается очень медленно и не успевает следовать за изменением величины и направления электрического поля высокой частоты. Поэтому миграционная поляризация уменьшается с ростом частоты на низких частотах, и в области частот ее дисперсии наблюдаются миграционные потери. [26]
![]() |
Зависимость диэлектрической проницаемо. [27] |
В резко неоднородных диэлектриках, в частности в диэлектриках с включением воды, наблюдается явление миграционной поляризации ( см. также стр. Процессы установления миграционной поляризации сравнительно весьма медленны и могут протекать на протяжении минут и даже часов. [28]
Электризацию их осуществляют путем помещения на несколько часов в сильное электрическое поле ( 2 МВ / м) при температуре 150 - 200 С. Ток абсорбции и миграционная поляризация создают суммарный гомозаряд. Максимальная плотность заряда получена в керамике титаната кальция. [29]
С повышением температуры удельная электрическая проводимость обычно растет по экспоненциальному закону. Поэтому время релаксации миграционной поляризации зависит от температуры так же, как и в случае дипольной поляризации [ ср. Частота релаксации и максимума потерь повышается с ростом температуры. [30]