Спонтанная поляризация - кристалл
Cтраница 1
Спонтанная поляризация кристаллов зависит от их температуры ( см. гл. [1]
Абсолютное значение спонтанной поляризации кристаллов может быть грубо оценено из следующих простых соображений. Как уже указывалось, поляризация кристалла ( в том числе спонтанная) численно равна плотности поверхности заряда. В предельном случае она будет равна суммарному заряду всех электронов ( или протонов), расположенных на поверхности элементарных ячеек кристалла. [2]
Резкое уменьшение пе ниже температуры Кюри Гк объясняется влиянием спонтанной поляризации кристалла. Непрерывное изменение показателей преломления при температуре фазового перехода указывает на фазовый переход второго рода. Большая величина двупреломления дает возможность достичь фазового согласования для света с Я 0 90 мкм, генерируемого GaAs-лазером, что открывает возможности применения этого лазера в оптической связи. [3]
Как правило, водородные связи не дают непосредственного вклада в спонтанную поляризацию кристалла, поскольку они направлены под углом, близким к 90, к направлению спонтанной поляризации, вызванной смещениями других ионов. Но упорядочение протонов на водородных связях является как бы спусковым механизмом фазового перехода. Именно такая ситуация имеет место в кристалле KDP, внешний габитус и общий вид структуры которого изображен на рас. [4]
 |
Температурные зависимости. [5] |
По всей вероятности, появление напряжения может быть связано или с электрохимическими реакциями, происходящими между поверхностями кристалла и электродами, или с влиянием спонтанной поляризации кристалла на его поверхностные свойства. [6]
Аномальное, увеличение объема элементарных ячеек кристаллов KDP и DRDP в полярной фазе обусловлено тем, что в нормальное тепловое расширение вносит свой вклад расширение, вызванное спонтанной поляризацией кристалла. RDP от температуры ( а) и соответствующая температурная зависимость величины спонтанной поляризации Ps ( б) аналогичны. [8]
Как следует из (9.75) значение температуры фазового перехода определяет величину еа - важнейшего энергетического параметра кластера; другие параметры ( w, Wi) могут быть подобраны из сопоставления с теорией температурной зависимости спонтанной поляризации кристалла. [9]
В случае использования кристаллов LiNbOs необходимо помнить, что он является сегнетоэлектриком при температурах ниже Ш2100С и обладает значительным пироэффектом. При изменении температуры изменяется спонтанная поляризация Рв кристалла и на гранях, нормальных оси z, возникают поляризационные. При быстром изменении температуры кристалла, например на 10 С, возникающий поляризационный заряд создает электрическое поле Ег порядка 10 В / см, которое приводит к изменению двулучепре - - ломления. [10]
Такая зависимость в ( 0) от температуры типична для всех сегне-тозлектриков. Ниже температуры перехода Тс возникает спонтанная поляризация кристалла. [11]
Температура изменяется, то между электродами возникает разность потенциалов. Это явление называют пироэлектричеством, а такие кристаллы называют п ир оэ л е ктр и к а м и. Причиной пироэлектричества служит спонтанная поляризация кристаллов. Для того, чтобы кристаллы обладали спонтанной поляризацией, они должны иметь структуру, в которой распределение зарядов должно быть полярным. [12]
Авторы этой работы предполагали, что состояние спонтанной поляризации кристалла при этом исчезает. Образующиеся кислородные вакансии должны при этом изменять механизм поляризации вещества. [13]
Коллективные факторы весьма актуальны в специальном случае квазивырождения. Коллективный эффект таких дипольных искажений в кристалле есть не что иное как его спонтанная поляризация. Именно это обстоятельство позволило подойти к вопросу о происхождении спонтанной поляризации кристаллов и сегнетоэлектричества в них с точки зрения локальных электронных свойств. [14]
I, упорядочение протонов на водородных связях является основным механизмом, приводящим к спонтанной поляризации кристалла. Структура кристаллов KDP такова ( см. рис. 1.18), что кажется естественным следующее предположение: вероятность определенного положения данного протона на водородной связи в сильной степени зависит от того, какие положения занимают атомы водорода на связях, примыкающих к той же Р04 - группе. Это обстоятельство далее будет учтено. В приближении СМП такая возможность вообще не рассматривается, поскольку предполагается, что среднее поле, действующее на данную частицу, зависит только от среднего псевдоспина s и определяется, таким образом, только крупномасштабными свойствами системы. [15]
Страницы: 1 2