Cтраница 1
Ионная поляризуемость больше у тех веществ, где ионы слабо связаны друг с другом и несут большие электрические заряды, т.е. являются многовалентными. [1]
Ионная поляризуемость at, характеризующая возможность относительного смещения или разделения катионов и анионов в твердых телах, в основном определяет поляризацию в ионных кристаллах. [2]
Ионная поляризуемость молекулы определяется практически кубом радиуса иона и, следовательно, по порядку величины она близка к электронной поляризуемости атомов и ионов. [3]
Почему ион титана в титанате бария имеет столь большую ионную поляризуемость, неизвестно. Более того, непонятно, почему при меньших температурах он поляризуется одинаково хорошо и в направлении диагонали куба и в направлении диагонали грани. Если мы вычислим действительные размеры шариков на фиг. [4]
Только в этом случае вместо поляризуемости молекулы 3 входит другая величина - ионная поляризуемость [ 5, характеризующая легкость смещения ионов в кристалле. [5]
Только в этом случае вместо поляризуемости молекулы 3 входит другая величина - ионная поляризуемость ри, характеризующая легкость смещения ионов в кристалле. [6]
Чтобы понять свойства ВаТЮз, мы должны предположить, что возникает именно такая ионная поляризуемость. [7]
![]() |
Зависимость диэлектрической проницаемости е ( а и тангенса угла диэлектрических потерь tg б ( б от частоты / для полярного полимера - политрифторхлорэти-лена при различных температурах Т. [8] |
У большинства твердых ионных диэлектриков ( кристаллы, стекла, керамические материалы, ситаллы и др.) е при росте температуры увеличивается ( рис. 15.6, г), что связано с ростом ионной поляризуемости. [9]
Это тоже быстрый вид поляризации, устанавливающийся за время порядка 10 12 - 10 - 13 с, Поскольку в ионных кристаллах существует еще и электронная поляризация, а аэ аи ( аи - ионная поляризуемость) и такие диэлектрики отличаются большим значением ег, чем неполярные. [10]
В ее рамках учитываются как электронные диполи, так и диполи смещения. Значения ионных поляризуемостей обычно подбираются путем подгонки оптической диэлектрической проницаемости e под экспериментальные данные. [11]
Для кристаллов, не обладающих постоянным моментом, можно развить теорию диэлектрической проницаемости, куда включается электронная поляризуемость атомов. Делается это почти так же, как для жидкостей. В ионных кристаллах, таких, как NaCl, возникает также ионная поляризуемость. Кристалл состоит из положительных и отрицательных ионов, расположенных в шахматном порядке, и в электрическом поле положительные ионы тянутся в одну сторону, а отрицательные - в другую; возникает результирующее смещение положительных и отрицательных зарядов, а следовательно, и объемная поляризация. [12]
Ионная часть диэлектрической проницаемости изменяется в более широких пределах от 5 до 30 и больше. Ориентационная поляризуемость в ионных кристаллах составляет небольшую величину. Отсюда видно, что основной вклад ( 50 - 80 %) в диэлектрическую проницаемость ионных кристаллов дает ионная поляризуемость полупроводников. Теоретическое вычисление е для ионных кристаллов затруднено из-за незнания ряда констант. [13]
Параллельно со сжатием электронных облаков, связанным с переходом от одного металла каждой па ры к другому, обнаруживается соответствующее возрастание межатомных расстояний в кристаллических решетках. Иными словами, хотя ионы цинка отстоят друг от друга дальше, чем ионы меди, можно считать, что электродные облака, повидимому, более тесно связаны с каждым ионом цинка, чем с каждым ионом меди. Можно ожидать, что дисперсионные силы притяжения, характерные для ван-дер-ваальсового взаимодействия, будут большими в случае меди, так как наряду с тем, что молекулы адсорбированного вещества будут находиться несколько ближе к ионам меди и связываться с большим числом последних в расчете на единицу площади поверхности, можно также ожидать, что ионная поляризуемость поверхности меди будет большей, чем ионная поляризуемость поверхности цинка. Все эти эффекты находятся в качественном согласии с тем опытным фактом, что теплотй адсорбции на октаэдрических поверхностях меди превышает, хотя и в небольшой степени, теплоту адсорбции на октаэдрических поверхностях цинка. Влияние поверхностных атомных конфигураций на резкость максимумов на кривых теплота адсорбции - степень покрытия, верятно, косвенным образом зависит также от распределения электронов на поверхности. [14]
Параллельно со сжатием электронных облаков, связанным с переходом от одного металла каждой па ры к другому, обнаруживается соответствующее возрастание межатомных расстояний в кристаллических решетках. Иными словами, хотя ионы цинка отстоят друг от друга дальше, чем ионы меди, можно считать, что электродные облака, повидимому, более тесно связаны с каждым ионом цинка, чем с каждым ионом меди. Можно ожидать, что дисперсионные силы притяжения, характерные для ван-дер-ваальсового взаимодействия, будут большими в случае меди, так как наряду с тем, что молекулы адсорбированного вещества будут находиться несколько ближе к ионам меди и связываться с большим числом последних в расчете на единицу площади поверхности, можно также ожидать, что ионная поляризуемость поверхности меди будет большей, чем ионная поляризуемость поверхности цинка. Все эти эффекты находятся в качественном согласии с тем опытным фактом, что теплотй адсорбции на октаэдрических поверхностях меди превышает, хотя и в небольшой степени, теплоту адсорбции на октаэдрических поверхностях цинка. Влияние поверхностных атомных конфигураций на резкость максимумов на кривых теплота адсорбции - степень покрытия, верятно, косвенным образом зависит также от распределения электронов на поверхности. [15]