Cтраница 4
Вычисление оптического поглощения с помощью приведенной выше экситон-по-ляритонной картины довольно затруднительно, поскольку необходимо учитывать процессы диссипации энергии поляритонов вследствие рассеяния на фононах. Один из способов для преодоления этих трудностей заключается в предположении о том, что в результате рассеяния между экситонами и фононами постоянная затухания экситонов становится больше, чем экситон фотонное взаимодействие. В этом приближении можно заменить поляритоны на голые фотоны и экситоны. Когда фотон превращается в экситон, он полностью теряет свою энергию внутри среды посредством процессов затухания экситонов. [46]
Суммирование в выражении (2.56) ведется по компонентам продольного электрического поля LO-фоноков или по компонентам поперечного электрического поля в случае поляритонов. [47]
Ясно, что фактически в обсуждаемой области спектра речь идет о влиянии процессов резонансного комбинационного рассеяния ( й) поляритона на скорость его затухания в кристалле. Заметим, что при неучете ( или малости) поляритонных эффектов величину р2 в (4.126) следует устремить к нулю. [48]
С помощью рис. 7.26 5, на котором показана геометрия рассеяния, использован - Генри и Хопфильдом [7.73] для измерения дисперсии поляритонов в GaP, вычислите минимальное значение для волнового вектора поляритона ( qm n) при заданном значении угла рассеяния О. [49]
Мы можем, таким образом, констатировать, что при облучении среды когерентной волной и при хаотическом распределении стоксовых квантов и поляритонов скорость генерации стоксовых фотонов точно так же зависит от среднего числа частиц, как и при состояниях с фиксированным числом частиц. Поэтому можно, конечно, воспользоваться полученными для этих состояний заключениями и выводами. Аналогично скорости генерации стоксовых квантов определяются скорости генерации поляритонов и уничтожения лазерных квантов. [50]
Обратимся теперь к конкретным экспериментальным условиям и рассмотрим сначала случай, когда среда облучается двумя интенсивными лазерными волнами, а плотность поляритонов мала по сравнению с плотностью фотонов. [51]
В [205] система уравнений для / ( &, 6, z) решена в случае, когда основной причиной рассеяния поляритонов являются экситон-экситонные столкновения. Аналогично могут быть рассмотрены и другие случаи. [52]
Такое явление можно использовать для единого описания нелинейных процессов, в которых устанавливается взаимосвязь различных участвующих во взаимодействии возбуждений ( например, экситонов, поляритонов, плаз-монов) между собой и с принимающими участие в процессах фотонами. Вновь возникшая частица может быть чистым экситоном электронов твердого тела или поляритоном. При исследованиях были получены данные об угловой и частотной зависимостях процесса слияния поляритонов, об относительном количестве участвующих в этом процессе поляритонов и о свойствах результирующих поляритонов. [53]
Можно показать, что в кристаллах со структурой цинковой обманки в рамках приближения ( f яз О внутризонные члены в выражении (2.55) для рассеяния Света поляритонами не дают вклад в поляризуемость перехода Первого порядка. [54]
Если, однако, над металлом и в тесном контакте с ним ( d0) имеется, например, молекулярный кристалл, то его объемные возбуждения ( объемные поляритоны) в условиях идеального контакта не могут, как это подчеркивалось ранее, возбуждать поверхностные волны. Если, однако, каким-либо способом создать нестационарное возбужденное состояние, отвечающее электронному возбуждению одной молекулы, то это состояние, распадаясь, будет порождать весь набор резонирующих нормальных воли и, в частности, также и волны поверхностные. Последние, как это показано Д. Н. Мирлиным и его сотрудниками [391], могут быть зафиксированы в спектрах флуоресценции с помощью призмы НПВО. Спектр этих поверхностных волн должен отличаться от спектра поверхностных плазмонов металла влиянием диэлектрического слоя. [55]
Учет же с помощью уравнений Максвелла и поперечного поля ( как было показано выше, в оптике существенно только длинноволновое поперечное поле) приводит к закону дисперсии экситон-ных поляритонов ( аналог поляритонов в случае электронных возбуждений), который был бы получен в полной квантовомеханиче-ской теории из полюсов выражения (15.6) для % е) при полном учете в гамильтониане и наведенного поперечного электромагнитного поля среды. Именно такие поляритоны и являются реально: наблюдаемыми возбужденными состояниями ( нормальными волнами) кристалла в экситонной области энергий. [56]
Здесь ир ( а) и 1и ( в) - фазовые и групповые скорости поляритонов частоты со и 5ц ( со) - так называемая экситонпая сила поляритона. [57]
Мы не будем останавливаться на полученных здесь результатах ( их обзор содержится в [386]), а перейдем к нахождению скорости поверхностной аннигиляции когерентных объемных экситонов [379] ( объемных поляритонов; см. § 11 гл. [58]
Так как энергия в кристалле переносится поляритонами, наблюдаемое ослабление света при прохождении через кристалл обусловлено взаимодействием поляритонов, например, с колебаниями решетки, приводящим к комбинационному рассеянию поляритонов на фононах. [59]