Cтраница 2
![]() |
Диаграммы распределения потенциалов в базе и р-ге-переходах транзисторов типа р-п - р при отсутствии внешних напряжений ( а и б и при их наличии ( в и г. [16] |
Закономерности, определяющие движение дырок в триодах типа р-п - р и электронов в триодах типа п-р - п, в основном одни и те же, за исключением противоположных полярностей напряжения на электродах и направлений тока в них. Это показано в условном обозначении типов триодов ( рис. 2.12, виг) стрелками на эмиттерах. Поэтому достаточно рассмотреть электрические свойства и режим работы одного из типов триодов, чтобы обобщить эти свойства для другого типа триода. Обычно рассматривается триод типа р-п - р, как наиболее распространенный. [17]
![]() |
Схема лазерного источника ионов. [18] |
Если к образцу приложено положительное напряжение относительно щели источника ионов, в масс-анализатор попадают только ионы, образованные под действием луча лазера по механизму, который близок к термическому. При противоположной полярности напряжения происходит ионизация испаренного вещества электронами, выбитыми из образца, и возникает низковольтный дуговой разряд. Ионный ток увеличивается в значительной степени. [19]
При этом на выходе усилителя № 2 сигнал равен нулю. Это достигается тем, что на усилитель № 1 подается напряжение 50 в полярности, противоположной полярности напряжения от потенциометра. [20]
При соприкосновении электрода с шихтой ( если к шихте подошел только один этот электрод) напряжение выпрямителя ВпН, а следовательно, и на обмотке ОУ1, становится равным нулю, ЭДС ЭМУ спадает, и двигатель быстро затормаживается. Когда с шихтой соприкоснется другой электрод, на обмотку ОУ1 с плеча R3 потенциометра R3, R4 подается максимальное напряжение выпрямителя ВпТ, обусловленное током к. Усилитель ЭМУ возбуждается с противоположной полярностью напряжения на якоре, и начинается разгон двигателя Д на подъем электрода. [21]
Ток замыкается последовательно через верхнюю полуобмотку трансформатора сверху вниз, нулевой вывод, резистор RL в направлении от нижнего вывода к верхнему и диод VDI. На резисторе RL вследствие протекания этого тока создается напряжение, полярность которого отрицательна по отношению к земле. Так происходят процессы в первом отрицательном полупериоде входного напряжения. Во втором полупериоде изменяются на противоположные полярности напряжений на обмотках трансформатора, и нижний вывод вторичной обмотки становится отрицательным по отношению к верхнему и нулевому выводам. Теперь на нижнем выводе вторичной обмотки по отношению к нулевому появляется отрицательное напряжение, а на верхнем - положительное. Поэтому диод VD1 смещен в обратном направлении, а диод VD2 - в прямом. Направление тока в выпрямителе на этом этапе работы изображено на рис. 2.6 непрерывными стрелками. Этот ток протекает через нагрузку RL в том же направлении, что и в первом полупериоде, а далее - через прямосмещенный диод VD2, нижнюю полуобмотку в направлении снизу вверх, нулевой вывод и возвращается к нижнему выводу резистора RL. Вас может удивить, почему ток не протекает от анода одного из диодов через анод к катоду другого диода. Однако он незначителен, поскольку сопротивление диода, находящегося под обратным смещением, велико. [22]
Отсюда следует, что сопротивление полупроводника, имеющего объемные поля и объемные заряды, измеренное при двух противоположных направлениях тока, будет различным. Наиболее отчетливо это проявляется при прохождении тока через р-д-переход. Предположим, что внешнее поле направлено против контактного поля Ек, для этого оно должно быть направлено от р-области к n - области. Внешнее электрическое поле уменьшает высоту потенциального барьера UK, в результате чего поток электронов из - области ( и дырок из р-области) возрастает почти по экспоненциальному закону в соответствии с функцией распределения Больцмана При противоположной полярности напряжения внешнее электрическое поле увеличивает высоту потенциального барьера, основные носители заряда оттягиваются из области перехода, что приводит к увеличению толщины области объемного заряда. Ток через переход создается только в результате движения неосновных носителей заряда, концентрация которых мала, поэтому и ток, называемый обратным, мал. [23]
Обедненные носителями заряда слои полупроводника имеют значительно большее сопротивление, чем объем кристалла, и называются запирающими слоями. Сопротивление запирающего слоя зависит от полярности и величины приложенного напряжения. Так, например, для случая контакта с металлом дырочного полупроводника плюс на полупроводнике и минус на металле соответствуют так называемому прямому току. При такой полярности напряжения запирающий слой заливается носителями и исчезает. При противоположной полярности напряжения запирающий слой расширяется и сопротивление его становится большим. [24]
![]() |
Возникновение потенциального барьера для основных носителей заряда в области р-я-пере-хода. [25] |
Как мы видели в § 66, одновременно с этим изменяется и концентрация основных носителей заряда и, следовательно, сопротивление. Таким образом, сопротивмние участка цепи зависит не только от величины тока, но и от его направления. Отсюда следует, что сопротивление полупроводника, имеющего объемные поля и объемные заряды, измеренное при двух противоположных направлениях тока, будет различным. Наиболее отчетливо это проявляется при прохождении тока через p - n - переход. Предположим, что внешнее поле направлено против контактного поля Ек, для этого оно должно быть направлено от р-области к n - области. Внешнее электрическое поле уменьшает высоту потенциального барьера t / K, в результате чего поток электронов из n - области ( и дырок из р-области) возрастает почти по экспоненциальному закону в соответствии с функцией распределения Больцмана. При противоположной полярности напряжения внешнее электрическое поле увеличивает высоту потенциального барьера, основные носители заряда оттягиваются из области перехода, что приводит к увеличению толщины области объемного заряда. Ток через переход создается только в результате движения неосновных носителей заряда, концентрация которых мала, поэтому и ток, называемый обратным, мал. [26]