Помехозащищенность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Почему-то в каждой несчастной семье один всегда извращенец, а другой - дура. Законы Мерфи (еще...)

Помехозащищенность

Cтраница 3


Поэтому помехозащищенность снижается для высших частот спектра модулирующего сигнала.  [31]

По помехозащищенности РТЛ несколько уступают радиолокаторам по защищенности от случайных искусственных и естественных помех, но имеют преимущества перед ними в отношении организованных помех вследствие полной скрытности работы РТЛ.  [32]

О помехозащищенности кольцевых счетчиков на триодных тиристорах, аноды которых связаны коммутирующими конденсаторами.  [33]

34 Структурная схема нелинейного апертурного корректора. [34]

Снижение помехозащищенности происходит вследствие подъема АЧХ АК в области верхних частот и возрастания вклада высокочастотных компонент шума. Поскольку по мере прохождения сигнала от преобразователя свет - сигнал к преобразователю сигнал - свет происходит накопление шумов от различных источников, целесообразно АК разместить на передающей стороне тракта изображения.  [35]

36 Результа-3 0 пВтПп / км ты измерений при загрузке трактов белым шумом. [36]

Зависимость помехозащищенности от изменения уровней представляет собой кривую, показывающую, что при повышении уровня до определенного значения р общая мощность помех в нулевой измерительной точке уменьшается за счет уменьшения мощности собственных помех; при некотором значении уровня р мощность рпо) имеет минимум, а при дальнейшем увеличении загрузки вновь возрастает из-за увеличения мощности помех от нелинейности. Заменяя одновременно ФЗ и ФП и повторяя описанные измерения, получают семейство кривых, выражающих зависимость мощности помех в каналах ТЧ ( или однозначно определяющей эту мощность помехозащищенности передаваемых сигналов), лежащих в различных частях полосы частот тракта, от изменений загрузки.  [37]

38 Дешифратор на четыре выхода на схемах T-TTL. [38]

Снижение помехозащищенности объясняется падением напряжения на входном транзисторе UK3 при открывании схемы НЕ, И, которое может достигать 0 1 В. Однако уровень статической помехозащищенности схем T-TTL остается выше 0 25 В. При управлении схемой НЕ, И по базовому входу транзистора задержка формирования уровня О ( т10) возрастает, так как рассасывание заряда в базе транзистора происходит небольшим током через ограничительный резистор в цепи базы.  [39]

Повышение помехозащищенности электропривода должно осуществляться подавлением как собственных, так и внешних помех. Поэтому любой электропривод должен быть спроектирован, изготовлен и смонтирован таким образом, чтобы, с одной стороны, его компоненты не создавали помех друг другу и соседним электроустановкам, а с другой стороны, он должен быть защищен от воздействия внешних помех, создаваемых другими электроустановками.  [40]

Повышение помехозащищенности прибора производится и с помощью других звеньев прибора, например электронных устройств, следующих за приемником. Наилучший эффект достигается при совместном использовании системы первичной обработки информации и этих звеньев, однако основная роль обычно отводится именно первым звеньям, рассмотренным выше. Таким образом, с точки зрения создания высококачественного оптико-электронного прибора звеньям системы первичной обработки информации нужно уделять особое внимание.  [41]

Степень помехозащищенности приема от помех системы зажигания, проникающих в приемник через антенну, определяется при его работе в движущемся автомобиле и заключается в субъективной оценке качества приема радиовещательных станций в диапазонах ДВ, СВ, KB и УКВ.  [42]

43 Демодулятор корреляционного типа для кода с повторением. [43]

Поскольку эта помехозащищенность достигается для некодированной широкополосной системы с ПП, ее можно увеличить путем кодирования информационной последовательности.  [44]

Необходимо обеспечить помехозащищенность МПК от помех по входным цепям и в питающей электросети. Современное производство характеризуется значительными электромагнитными полями от мощных силовых цепей, помехами от наводимых значительных электростатических потенциалов и пр.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5