Cтраница 2
От правильного решения задачи обеспечения помехоустойчивости элементов и узлов ЭВМ зависят как сроки разработки изготовления и наладки ЭВМ, так и нормальное ее функционирование в процессе эксплуатации. Наиболее успешная борьба с помехами возможна лишь в случае, когда разработки электрических схем и конструкций элементов и узлов неразрывно связаны. При этом разработчики электрических схем должны обладать необходимым минимумом знаний по вопросам конструирования, а конструкторы правильно разбираться в функциональном назначении и принципах работы тех или иных элементов и устройств. [16]
Надежность и достоверность работы микроэлектронных цифровых вычислительных устройств и машин в существенной степени определяются их помехозащищенностью по отношению к внешним и внутренним, случайным и регулярным помехам. От правильного решения задачи обеспечения помехоустойчивости элементов и узлов ЭВМ зависят как сроки разработки, изготовления и наладки последней, так и нормальное ее функционирование в процессе эксплуатации. Наиболее успешная борьба с помехами возможна лишь в случае, когда разработки электрических схем и конструкций элементов и узлов неразрывно связаны. [17]
Элементы ЭСЛ обычно применяются в тех устройствах, где никакие другие элементы не удовлетворяют требованиям по быстродействию. При этом особое внимание должно быть обращено на тщательное решение вопросов конструирования с учетом малой помехоустойчивости элементов ЭСЛ и необходимости обеспечения заданных температурных режимов. [18]
Неравенство (5.23) определяет условия надежной работы элементов ЭВМ. Для его выполнения необходимо уменьшать величину выходного сопротивления, длину связей и их сечения / увеличивать величину фронта импульсов и коэффициент помехоустойчивости элементов, расстояние между линиями связи, применять изоляционные материалы с хорошими диэлектрическими свойствами. [19]
Заметим, что если Е Е, то подача 1 на все входы не приводит к запиранию диодов. EI, что обеспечивает наличие некоторого порога срабатывания при отрицательном входном перепаде ( от 1 к 0) и, следовательно, лучшую помехоустойчивость элемента. [20]
Коэффициент объединения по входу ( / С0) указывает максимально возможное количество входов элементов. Количество входов можно увеличить, например, соединяя определенным образом выводы интегральной схемы. Однако при этом обычно уменьшаются быстродействие и помехоустойчивость элемента. [21]
Необходимо отметить, что книг, непосредственно посвященных вопросам обеспечения ЭМС ЦТС, пока издано относительно мало. В первую очередь следует упомянуть сборники материалов пяти научно-технических конференций Помехи в цифровой технике [15-19], проводившихся в период с 1969 по 1982 год. В сборниках содержится около 250 работ, посвященных помехоустойчивости элементов rf узлов ЦТС, помехозащищенности устройств, систем и информационных линий связи, разработке норм по ЭМС ЦТС и соответствующей измерительной и имитирующей аппаратуры. [22]
Одной из важнейших характеристик логического элемента является быстродействие. Оно определяется временем задержки распространения сигнала от входа элемента к его выходу и зависит главным образом ( в схемах с транзисторами) от режима работы транзистора. При использовании транзисторов в режиме насыщения обеспечивается высокая помехоустойчивость, однако быстродействие за счет дополнительного расхода времени на рассасывание неосновных носителей при выключении уменьшается. Наоборот, при использовании транзисторов в ненасыщенном режиме скоростные характеристики улучшаются, но различие между сигналами логического нуля и единицы становится менее выраженным, и помехоустойчивость элемента уменьшается. [23]
Анализ динамической помехоустойчивости ИС должен происходить с применением запоминающего элемента - триггера, построенного на основе базовых функциональных элементов, поскольку триггер в конечном счете фиксирует превращение помехи в ложную информацию. Изменяя амплитуду и длительность импульсных помех, воздействующих на входы триггера, и добиваясь его срабатывания, можно получить границы динамической помехоустойчивости функциональных элементов при воздействии различных по форме импульсных помех. В результате анализа поведения триггера может быть графически определена зона динамической помехоустойчивости функциональных элементов. Пример этого графика, построенного для элементов высокого / и низкого 2 быстродействия, приведен на рис. 1.3. По оси абсцисс откладывается длительность импульса помехи, а по оси ординат - его амплитуда. При больших длительностях импульсов помехи зона динамической помехоустойчивости определяется статическим уровнем помехоустойчивости элемента. [24]