Повышенная помехоустойчивость

Cтраница 3

На рис. 13.15 изображена структурная схема колебательного контура с управляемой резонансной частотой, входящего в состав ЧМ приемника с повышенной помехоустойчивостью. Через L и С обозначены соответственно индуктивность и емкость колебательного контура, подключенного ко входу частотного детектора ( ЧД) радиоприемника. [31]

Первый каскад в усилителе по схеме, а с транзисторным оптроном. [32]

Поэтому применение оптронов в бесконтактных коммутационных аппаратах ( реле, контакторах, пускателях) отличается сравнительной простотой схем управления, повышенной помехоустойчивостью и надежностью аппаратуры, позволяет непосредственно соединять аппараты с интегральными микросхемами и микропроцессорами в сложных системах автоматики. [33]

Логические элементы на МДП транзисторах.| КМДП инвертор. [34]

Преимуществами схем на МДП транзисторах с дополнительными типами проводимости каналов ( комплементарных) являются малая потребляемая мощность, высокое быстродействие и повышенная помехоустойчивость. В основе всех логических КМДП элементов лежит КМДП инвертор по рис. 7 - 57, а, где Tt - транзистор с каналом re - типа, Тг - с каналом р-типа. Затворы обоих транзисторов объединены, на них подается управляющее напряжение. Подложки соединены с истоками. [35]

Использование ВИМ и ШИМ-сигналов, а также коммутации ЧМ и ФМ-сигналов позволяет существенно уменьшить влияние коммутаторов на погрешность измерения, получить повышенную помехоустойчивость системы, применить высокоточные АЦП. Но все эти положительные свойства могут проявиться при относительно невысоком быстродействии и хороших метрологических качествах модуляторов. [36]

Схема элемента ИЛИ-НЕ ( СНП.| Элемент И - ИЛИ - НЕ ( СНП.| Инвертирующий и неинвертирующий усилители на МОЯ-транзисторах.| Схема элемента ИЛИ - НЕ ( СВП на МДПДТ. [37]

Элементы на МДПДТ выгодно отличаются от элементов на МОП-транзисторах меньшей потребляемой мощностью ( в 5 - 10 раз) более высоким быстродействием, повышенной помехоустойчивостью, большим значением N. При подаче на вход х уровня В транзистор Т1 открывается, а ТЗ закрывается, следовательно, на выходе будет уровень Я. В случае же, когда на оба входа поданы уровни Я, 77 и Т2 закрыты, но будут открыты оба транзистора р-типа, что и обусловит появление уровня В на выходе. [38]

Схема комбинированного базового комплекта ( БК-Ю. 60. [39]

Комбинированный базовый комплект ( БК-Ю) позволяет вводить в ВК, удаленный от комплекта на расстояние до 3 км, 90 однополюсных сигналов среднего уровня, 30 двухпозицион-ных сигналов при обеспечении повышенной помехоустойчивости и 16 четырехразрядных число-импульсных сигналов. [40]

Модуль ввода дискретных сигналов КС 34.05 имеет коммутируемые входные сигналы - статические, байт-параллельные; количество входных разрядов - 16; минимальная длительность входных сигналов - 1 мс; обладает одним инициативным входом и повышенной помехоустойчивостью по входу. [41]

Субблок Спектр-1 предназначен для цифровой аппаратуры низкого быстродействия, применяемой в промышленных системах автоматики и телемеханики. Эта группа имеет повышенную помехоустойчивость. Спектр-2 служит для применения в аппаратуре: промышленных цифровых унифицированных управляющих систем, а Спектр-3 - для цифровых устройств повышенного быстродействия. [42]

Погрешность измерения разности хода модуляционным методом может быть в принципе как угодно малой, так как при достаточно узкой полосе пропускания фильтр может выделить на фоне собственного шума аппаратуры сколь угодно малый периодический сигнал. Модуляционный метод обеспечивает повышенную помехоустойчивость к медленным и быстрым хаотическим изменениям разности хода, которые могут происходить, в частности, при неравномерном нагреве интерферометра и вследствие механических воздействий на прибор окружающей среды. [43]

Вследствие этого ЧТ называют системой радиотелеграфной связи с активной паузой. Именно это обстоятельство определяет повышенную помехоустойчивость ЧТ по сравнению с AT. В теории связи доказывается, что переход от некогерентной AT к некогерентной же ЧТ эквивалентен энергетическому выигрышу в два раза. [44]

График напряжений ( а и структурная схема ( б интегрирующего двухшагового вольтметра. [45]

Страницы: 1 2 3 4