Cтраница 3
Тенденцией развития систем управления и автоматизации является широкое применение в них дискретных элементов и устройств. Такие схемы, получившие название цифровых, характеризуются высокими точностью, быстродействием и надежностью в работе, малым энергопотреблением и хорошей помехоустойчивостью. Цифровые схемы управления естественным образом сочетаются с ЭВМ, составляя с ними единую автоматизированную систему управления технологическим процессом, предприятием или отраслью. [31]
На рис. 480, 481 приведены схемы разделения синхронизирующих импульсов. В схеме рис. 480 используется пентодный отделитель на лампе 6Ж4, а в схеме, изображенной на рис. 481, применен триодный отделитель с изменяемой постоянной времени сеточной цепи в период заряда, характеризующийся хорошей помехоустойчивостью. Для разделения строчных и кадровых синхронизирующих импульсов в обеих схемах используются соответственно интегрирующие и дифференцирующие цепочки. [32]
Разделение на статодинамическую и динамическую аппаратуру является необходимым во многих практических случаях. Стато-динамическая аппаратура обеспечивает регистрацию суммарной информации о состоянии объектов - статическую и динамическую, и это затрудняет обнаружение малых, уровней динамической составляющей при значительном уровне статической. Преимущества статодинамической аппаратуры заключаются в достаточно хорошей помехоустойчивости в связи с питанием измерительных цепей переменным напряжением и возможности фильтрации помех промышленной частоты. [33]
Помехоустойчивость линии определяет ее способность уменьшать уровень помех, создаваемых во внешней среде и на внутренних проводниках. Эта характеристика зависит от типа используемой физической среды, а также от экранирующих и подавляющих помехи средств самой линии. Наименее помехоустойчивыми являются радиолинии, хорошей помехоустойчивостью обладают кабельные линии и отличной - волоконно-оптические линии, малочувствительные к внешнему электромагнитному излучению. Обычно для уменьшения помех, появляющихся из-за внешних электромагнитных полей, проводники экранируют и / или скручивают. [34]
Номенклатура выпускаемых ИМС обширна. Имеется свыше ста наименований микросхем этой серии. При всех своих преимуществах: высоком быстродействии, обширной номенклатуре, хорошей помехоустойчивости, - эти микросхемы отличаются сравнительно большой потребляемой мощностью. На смену им выпущены микросхемы серии 555, принципиальное отличие которых - использование транзисторов с коллекторными переходами, за-шунтированными диодами Шотки. Транзисторы микросхем этой серии не входят в насыщение, что существенно уменьшает задержку выключения транзисторов. К тому же они имеют значительно меньшие размеры, что уменьшает емкость их р-п-переходов. В результате при сохранении быстродействия микросхем удалось уменьшить потребляемую ими мощность приблизительно в 4 - 5 раз. [35]
Подводя итог вышесказанному, заметим, что в условиях дрейфа характеристик наиболее успешный поиск обеспечивают системы с модуляцией. При значительных скоростях дрейфа необходимость в частых поверочных коммутациях практически сводит шаговые экстремальные системы ( напомним, что имеется в виду шаговое измерение выхода) к системам с модуляцией. Системы с модуляцией позволяют легко получить статистические оценки положения рабочей точки относительно экстремума и, следовательно, обеспечить хорошую помехоустойчивость поиска. [36]
В таком элементе используется положительная логика. Каждый из входных транзисторов л-типа связан по затвору с транзистором р-типа. Для реализации функции И - НЕ параллельно включаются транзисторы р-типа и последовательно - транзисторы и-типа. ИС на КМДП-структурах потребляют малую мощность в статическом режиме, имеют относительно высокое быстродействие, хорошую помехоустойчивость и достаточно большую нагрузочную способность. Эти схемы позволяют создавать на одном кристалле до 10 000 элементов. [37]
В таком элементе используется положительная логика. Каждый из входных транзисторов / г-типа связан по затвору с транзистором р-типа. Для реализации функции И - НЕ параллельно включаются транзисторы р-типа и последовательно - транзисторы л-типа. ИС на КМДП-структурах потребляют малую мощность в статическом режиме, имеют относительно высокое быстродействие, хорошую помехоустойчивость и достаточно большую нагрузочную способность. Эти схемы позволяют создавать на одном кристалле до 10 000 элементов. [38]