Динамическая помехоустойчивость

Cтраница 1

Динамическая помехоустойчивость - помехоустойчивость в динамическом режиме - зависит от длительности, амплитуды и формы сигнала помехи, а также от уровня статической помехоустойчивости и скорости переключения базового функционального элемента. [1]

Динамическая помехоустойчивость выше статической, так как при кратковременных помехах сказываются паразитные емкости и инерционные процессы в микросхеме. [2]

Динамическая помехоустойчивость системы оценивается средним числом ложных команд, образуемых из переданных за единицу времени за счет воздействия помех. [3]

Динамическая помехоустойчивость элемента рассматривается при работе элемента в импульсном режиме и зависит от временных параметров импульса помехи, его формы и амплитуды, скорости переключения логических элементов. [4]

Характеристика динамической помехоустойчивости логи ческой микросхемы. [5]

Количественно динамическая помехоустойчивость определяется амплитудой и длительностью импульса помехи, но чаще с помощью характеристики ( рис. 4.2), отражающей зависимость допустимой амплитуды импульса помехи от длительности этого импульса. Из рисунка видно, что по мере увеличения длительности импульса помехи допустимая амплитуда помехи снижается до уровня максимально-допустимого напряжения статической помехи. [6]

Анализ динамической помехоустойчивости ИС должен происходить с применением запоминающего элемента - триггера, построенного на основе базовых функциональных элементов, поскольку триггер в конечном счете фиксирует превращение помехи в ложную информацию. Изменяя амплитуду и длительность импульсных помех, воздействующих на входы триггера, и добиваясь его срабатывания, можно получить границы динамической помехоустойчивости функциональных элементов при воздействии различных по форме импульсных помех. В результате анализа поведения триггера может быть графически определена зона динамической помехоустойчивости функциональных элементов. Пример этого графика, построенного для элементов высокого / и низкого 2 быстродействия, приведен на рис. 1.3. По оси абсцисс откладывается длительность импульса помехи, а по оси ординат - его амплитуда. При больших длительностях импульсов помехи зона динамической помехоустойчивости определяется статическим уровнем помехоустойчивости элемента. [7]

Зависимость допустимого напряжения помехи от ее длительности. [8]

Различают статическую и динамическую помехоустойчивость. В первом случае помеха рассматривается как длительно существующий уровень потенциала, во втором - как импульс определенной длительности. [9]

К определению времени переключения.| Зависимость допустимое помехи от длительности.| Вольт-амперная характеристика диода.| Диодные схемы ИЛИ. а - для положительных. б - для отрицательных напряжений. [10]

Запас по динамической помехоустойчивости зависит от длительности, амплитуды, скважности и формы входного сигнала. В большинстве случаев с уменьшением длительности сигнала te на входе запас по помехоустойчивости возрастает, а при te - - oo запас по динамической помехоустойчивости стремится к статической помехоустойчивости. [11]

Вследствие трудности четкого определения динамической помехоустойчивости в настоящее время принято оценивать только статическую помехоустойчивость. Величина допустимых статических помех зависит от характеристики выход - вход рассматриваемого элемента, называемой также амплитудной передаточной характеристикой. [12]

Сложность получения семейства характеристик динамической помехоустойчивости элементов не позволяет в настоящее время приводить их в качестве основного или справочного материала в технических условиях на интегральные схемы. [13]

Как это видно из характеристик динамической помехоустойчивости, приведенных на рис. 1.3, справа от точки пересечения характеристик ( точки М) быстродействующий элемент обеспечивает более устойчивую работу устройства, а слева от точки М уже медленнодействующий элемент обеспечивает более устойчивую работу устройства. [14]

Характеристика динамической помехоустойчивости логи ческой микросхемы. [15]

Страницы: 1 2 3