Cтраница 1
Понижение температуры поверхности значительно понижает скорость декобальтизации на ней. Так, в опытах по термической декобальтизации в колонном аппарате при температуре 160 - 170 внутрь декатализера были введены две поверхности ( рис. 1), одна из которых имела температуру выше, а другая ниже, чем температура декобальтизуемой жидкости. При этом во всех случаях на горячей поверхности было найдено значительное количество кобальта, в то время как на холодной поверхности ( температура около 20) порошка кобальта не наблюдалось. [1]
Зависимость состава парогазовой смеси от температуры охлаждающего. [2] |
Понижение температуры поверхности охлаждения также вызывает образование тумана, количество которого при соответствующих температурах выше, чем для случая с отфильтрованным воздухом. [3]
Автоэлектронная эмиссия с вольфрама при 79 К в процессе адсорбции. [4] |
По мере понижения температуры поверхности вольфрама распределение интенсивности по эмиттеру становится совершенно иным. [5]
Количество испаряющейся жидкости, определенное по формулам с учетом понижения температуры поверхности испарения по отношению к температуре воздуха, следует увеличить при температуре кипения жидкостей th около 80 С в 1 5 раза, при th 100 С - в 1 3 раза, при th около 150 С - в 1 1 раза; при температуре кипения 200 С и выше поправки можно не вносить. [6]
Поэтому перспективным при дистанционном измерении влажности является полупроводниковое охлаждение для понижения температуры поверхности зеркала, на кого ром конденсируется влага. [7]
Поэтому перспективным при дистанционном измерении влажности является полупроводниковое охлаждение для понижения температуры поверхности зеркала, на котором конденсируется влага. [8]
Поэтому перспективным при дистанционном измерении влажности является полупроводниковое охла ждение для понижения температуры поверхности зеркала, на котором конденсируется влага. [9]
Известно, что в процессе гашения дуги отключения теплопроводность играет особенно важную роль, так как понижение температуры поверхности контакта способствует гашению дуги вследствие нарушения теплового баланса. В связи с этим контактный материал должен обладать высокой теплопроводностью. В период восстановления электрической прочности межконтактного промежутка высокая теплопроводность ускоряет снижение температуры контактных поверхностей и тем самым способствует быстрому восстановлению электрической прочности промежутка. [10]
В то же время пылевой экран в атмосфере изменяет ее отражательную способность, а это способствует понижению температуры поверхности Земли. [11]
Образование водной пленки конденсата при паровом обогреве, отложение солей и скопление воздуха в каналах плит ведут к понижению температуры поверхности плит, иногда очень неравномерному. Прогрев плит четырехэтажного пресса размером 600X600 мм от 30 до 144 С такими способами длится 18 - 20 мин. Элементы сопротивления для электрообогрева плит изготовляют путем намотки спирали на фарфоровые или иные изоляторы. Медленный и неравномерный конвективный прогрев, свойственный таким элементам, может быть улучшен применением таких конструкций, которые обеспечивают контактную передачу генерируемого тепла поверхностям плит пресса. Во всех случаях весьма целесообразно применение теплоизолирующих кожухов к прессам. [12]
Влияние Тсм на парафиноотложение при значениях ДТ.| Зависимость изменения интенсивности отложения. [13] |
Как видно из рис. 2, при постоянных значениях температуры смеси парафиноотложение растет с увеличением разности температур, т.е. понижением температуры поверхности подложки. Такая зависимость сохраняется во всем диапазоне исследованных температур - при температурах как выше, так и ниже температуры помутнения рабочей смеси. [14]
В этих случаях, например, мгновенное возмущение в условиях, близких к метастабильной точке, может вызвать как повышение, так и понижение температуры поверхности. В первом случае система приходит в установившееся состояние, соответствующее определяющей роли массопереноса через ламинарную пленку у внешней поверхности гранулы. Во втором случае стабилизация наступает при определяющей роли поверхностной реакции. [15]