Cтраница 1
Диаграмма температура - состав для системы с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии, образованной жидкой и твердыми фазами, и кривые охлажде. [1] |
Понижение температуры расплава в точках 5 и-б до Тк и Тм приводит к выпадению кристаллов с изменением состава расплава по линиям / сэ и мэ. При Тэ весь расплав кристаллизуется. Область V соответствует несмешивающимся твердым растворам, области / и / - смешивающимся твердым растворам. [2]
После достаточного понижения температуры расплава из него начинают выделяться либо кристаллы чистого вещества А, либо кристаллы чистого вещества В. Каждая точка этих плоскостей соответствует предельному сочетанию состава, давления и температуры, при которых еще может существовать жидкая однородная смесь. При малейшем сдвиге в глубь пространства, ограниченного плоскостями abdc и abfe, появляется кристаллическая фаза вещества А или вещества Б в зависимости от состава смеси. [3]
При понижении температуры расплава растворимость газов уменьшается, наступает перенасыщение, и растворенные газы выделяются из раствора в виде самостоятельной фазы. [4]
Изменение формы изобарного разреза диаграммы состояния системы А - В при изменении давления паров летучего компонента В. [5] |
При понижении температуры расплавов, состав которых лежит между точками Е и Е2, процесс кристаллизации происходит так, как было описано. [6]
При понижении температуры расплава до 1200 - 1000 С кристаллизуются минералы перидотитовой, габ-бро-пироксенитовой и дунитовой формаций. [7]
При понижении температуры расплава в процессе охлаждения и кристаллизации шлака вероятность присутствия СгО в: шлаке уменьшается, что может вызвать распад низших окислов, присутствующих в жидком расплаве, с образованием окиси хрома и металлического хрома. [8]
С - понижением температуры насыщенного расплава наблюдается образование кристаллов никеля. Можно предполагать, что наблюдаемое явление образования чрезвычайно мелкозернистых осадков титана, хрома, ниобия имеет аналогичное происхождение. [9]
Диаграмма плавксктн системы In - Р ( Вап-ден - Боомгаард и Шол. [10] |
Обычно кристаллы выращивают при понижении температуры расплава. [11]
Кривая медленного охлаждения кристаллизующегося вещества.| Кривая охлаждения кристаллизующегося вещества с переохлаждением. [12] |
Из рисунка следует, что понижение температуры расплава осуществляется ниже критической точки кристаллизации. [13]
Поскольку выход по току повышается с понижением температуры расплава, то оказалось, что вместо CsCl эффективнее применять более легкоплавкий Csl. Разумеется, аналогичным путем можно получить и свинцово-рубидиевый сплав. Подобные сплавы могут представить интерес и как промежуточные материалы для получения из них Rb и Cs в процессе дистилляции в вакууме. [14]
Поскольку выход по току повышается с понижением температуры расплава, то оказалось, что вместо CsCl эффективнее применять более легкоплавкий Csl. Разумеется, аналогичным путем можно получить и свинцово-рубидиевый сплав. Подобные сплавы могут представить интерес и как промежуточные материалы для получения из них Rb и Cs в процессе дистилляции в вакууме. [15]