Cтраница 2
Открывание и закрывание транзисторов дает эффект, эквивалентный обычному ключу. [16]
Непосредственно после закрывания транзистора ( момент / 2) напряжение на конденсаторе С равно нулю. [17]
В результате закрывания транзисторов Т5 и Т1 на выходе элемента устанавливается высокий уровень напряжения. Транзистор Тв работает при этом как эмиттерный повторитель, обеспечивая малое выходное сопротивление элемента в состоянии логической единицы на выходе. [18]
В результате закрывания транзистора 7 ток резистора Rt теперь - переключается в базу транзистора Г4, вызывая его открывание. Начинается стадия формирования фронта выходного импульса. Основное его назначение - обеспечить большой ток в базу выходного транзистора Тв во время формирования фронта. При этом транзистор Ть сразу же оказывается в нормальном насыщенном режиме за счет действия заряда, накопленного в его базе в ( предшествующий период. [19]
Длительность процесса закрывания транзисторов данной схемы определяется их инерционными свойствами и с учетом принятых ранее допущений пренебрежимо мала. [20]
Одновременно с закрыванием транзистора Г4 происходит закрывание и транзистора Те. Как и в транзисторе Ti, рассасывание заряда в базе Те происходит весьма быстро. [21]
Поскольку к моменту закрывания транзистора реактивные элементы снижают до минимума ток коллектора, базовый ток также будет минимальным и, следовательно, время. Таким образом полностью снимается проблема сквозного тока, возникающего при переключении. [22]
Этим создаются условия для закрывания транзистора 2VT1 и включения первой ячейки, что обеспечивает включение первой программы. [23]
Вслед за этим ускоряется закрывание транзисторов Т2 и ТЗ. Таким образом, наличие резистора R6 в схеме регулятора способствует ускорению закрывания транзисторов Т2 и ТЗ. [24]
После окончания заряда конденсатора и закрывания транзистора напряжение на выходе вновь становится равным Uo, и схема возвращается в прежнее состояние. [25]
В первой схеме в момент закрывания транзистора появляются перенапряжения на коллекторе, что может привести к его пробою. Поэтому нагрузка шунтируется рекуперационным диодом Д, через который замыкается ток индуктивности после отключения транзистора. [26]
Вспомним, что для обеспечения закрывания транзистора было решено не допускать возрастания отрицательного напряжения его базы более - 0 1 в. Это предотвращает увеличение коллекторного тока до величины, превышающей ток утечки коллектора 54 мка ( стр. Тогда, если провести нагрузочную линию тока 1 ма ( 5 ком, связанные с - 5 в) на фиг. Следовательно, если TI закрыт ( фиг. R, достаточен чтобы управлять 1000 / 60 9Е 16 базами. [27]
Однако в данной схеме при закрывании транзистора на элементах ТОК возникают перенапряжения, особенно значительные при холостом ходе конвертора. Для исключения возможного пробоя транзистора, диода и обмоток трансформатора применяют блокировочный конденсатор Сб, который можно подключить к одной из обмоток трансформатора, увеличивая тем самым приведенное к первичной обмотке значение собственных емкостей обмоток и транзистора. [28]
Во втором режиме работы момент начала закрывания транзистора определяется состоянием коммутирующего транзистора VT, управляемого от компаратора А, что позволяет осуществлять компенсационное регулирование выходного напряжения с гальванической развязкой от входного. Возможно также совмещение указанных режимов. Схема позволяет организовать гарантированную паузу в выходном напряжении ( выбором Т0), что исключает сквозные токи через мощные транзисторы в переходных режимах. [29]
Положим, что импульс формируется при закрывании транзистора, а пауза - при открывании. [30]