Попадание - излучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если человек знает, чего он хочет, значит, он или много знает, или мало хочет. Законы Мерфи (еще...)

Попадание - излучение

Cтраница 1


Попадание излучения на фотокатод в виде интенсивного рассеяния линий излучения ртутно-кварцевой лампы может испортить фотоумножитель. Для предотвращения этого служит зеркальная заслонка, на которой указаны диапазоны длин волн, при которых она должна быть закрыта.  [1]

2 Схема v-электронного реле.| Схема автоматизации загрузки бункеров камнем. [2]

При попадании излучения на счетчик у-злектронного реле на сетку подается напряжение, запирающее лампу, в результате чего сигнал на выходе электронного реле отсутствует. Когда уровень материала в бункере достигает уровня установки реле, излучение у-источника поглощается заполняющим материалом. Счетчик не регистрирует излучение, и лампа отперта; в результате на выходе электронного реле появляется электрический сигнал. Обычно у-реле помещают на максимальном и минимальном уровнях.  [3]

Отражение, наблюдающееся при попадании излучения на границу между двумя веществами, где существует изменение показателя преломления.  [4]

Отражение, наблюдающееся при попадании излучения на границу между двумя веществами, где существует изменение показателя преломления.  [5]

Для уменьшения рассеянного излучения в монохроматорах перед попаданием излучения на кювету в областях, где влияние его особенно велико, на пути светового потока ставят специальные светофильтры.  [6]

При анализе растворов проб эмиссионным методом возможно возникновение ошибок вследствие попадания излучения содержащихся в пробе посторонних веществ на фотоэлемент, в результате чего фототек увеличивается. Причиной ошибок является в одних случаях излучение постороннего элемента в той части спектра, где находится аналитическая линия искомого элемента, в других - недостаточная селективность используемых в фотометрах светофильтров и пропускание ими вследствие этого областей спектра, соседних с аналитической линией. Даже в спектрофотометрах всегда приходится считаться с наличием рассеянного оптикой света. Особенно заметны такие помехи при определении следов какого-либо элемента в присутствии большого количества постороннего элемента при низких факторах специфичности.  [7]

8 Включение LL-схемы в цепь генератора. 1 - первичный накопитель энергии, 2 - начальное положение микропроводников, 3 - нагрузка типа Z-пинча, 4 - замыкающий разрядник, 5 - кросс-ввод, 6 - разлет плазмы. [8]

Для уменьшения утечек тока оптимизирована конструкция размыкателя путем установки экранов, устраняющих попадание излучения и плазмы взрывающихся проволочек в область кросс-вводов. Наименьшие потери ( 10 %), которые локализованы в минимуме магнитного поля, получены для кросс-вводов из 6 стержней, имеющих соотношение диаметров отверстие - штырь 36 мм / 14 мм.  [9]

Для защиты персонала от лазерного облучения необходимо: устанавливать защитные экраны или кожухи, препятствующие попаданию излучения на рабочие места; размещать пульт управления лазерной установкой в отдельном помещении ( выгородке) с телевизионной или другой системой наблюдения за ходом процесса; проверять работу системы блокировок и сигнализации, предотвращающих доступ персонала в пределы опасной зоны; иметь на рабочем месте схему опасной зоны; окрашивать внутренние поверхности помещения матовой краской с минимальным коэффициентом отражения на длина волны излучения; при совмещении системы наблюдения с оптической системой лазера применять автоматические затворы или светофильтры, защищающие глаза оператора в момент генерации излучения.  [10]

11 Установка для контроля металлической проволоки. [11]

Измерение температуры проволоки производится быстродействующим радиационным пирометром РП на участке проволоки ПР, ограниченной тепловым экраном ТЭ, который, кроме того, защищает поле зрения пирометра РП от попадания излучений от предметов, располагаемых за проволокой, что может приводить к появлению дополнительной погрешности. Радиационный пирометр РП может быть соединен с устройствами сигнализации или регистрации его показаний. Многие виды электрической изоляции прозрачны для инфракрасного излучения, что облегчает проведение контроля, вместе с тем резкие изменения толщины или повреждения изоляции ухудшают теплоотвод и могут влиять на процесс контроля.  [12]

Для измерения мощности дозы ядерных излучений применяют приборы, называемые радиометрами. При попадании излучения в детектор на его выходе образуются электрические импульсы, которые усиливаются предварительным усилителем. Для передачи импульсов без искажений предварительный усилитель, имеющий высокое входное и низкое выходное сопротивление, помещают рядом с детектором. Далее импульсы подаются на вход линейного усилителя, который осуществляет дальнейшее усиление без изменения амплитудного распределения импульсов. Для отсечения помех, возникающих в детекторах, за усилителем помещают амплитудный дискриминатор. Последний пропускает только те импульсы, амплитуды которых превышает некоторый заданный порог. Прошедшие через дискриминатор импульсы поступают в формирующий каскад ( нормализатор), на выходе которого образуются импульсы прямоугольной формы со стандартной амплитудой и длительностью.  [13]

Один из простейших способов качественной оценки меры плотности выходной энергии лазера - подставить под выходной пучок материал, который может повреждаться. Пленка Polaroid дает в месте попадания излучения желто-коричневое пятно. В некоторых эмульсиях в области повреждения образуется пленка серебра.  [14]

Оказывается, что такими методами можно достичь продольного разрешения порядка 100 А, причем предел разрешения определяется не длиной волны излучения ( которая может быть порядка атомных масштабов), а внутренними свойствами самого фоточувствительного слоя, а именно размером области, в которую проникают вторичные электроны, рождающиеся при поглощении жесткого излучения. Эти электроны разрушают фоточувствительный слой не только в точке попадания первоначального излучения, но и в некоторой ее окрестности, производя тем самым как бы эффект уширения пучка. Учитывая, что 100 А составляет около 30 фермиевских длин волн в металле и менее одной фермиевской длины волны в GaAs, данное разрешение можно признать весьма впечатляющим. Часто, особенно в полупроводниковых системах, возникает необходимость в создании - с помощью вышеописанных методов - разных рисунков в различных слоях гетерострук-туры. Таким образом, на современном уровне развития технологии возможно изготовление очень многих мезоскопических структур с подобным разрешением.  [15]



Страницы:      1    2