Попадание - электрон
Cтраница 3
Трудности заключаются в том, что вследствие действия постоянного магнитного поля, препятствующего попаданию электронов на анод, электроны движутся по сложным, не радиальным путям и внутри магнетрона создается заметный объемный заряд. [31]
Геометрия и размеры последнего подобраны так, чтобы при работе торцового катода уменьшить вероятность попадания электронов на боковую поверхность образца, собрав весь электронный пучок на его торце. [32]
 |
Принципиальная конструкция отражательного клистрона. [33] |
Скорость электронов v в плоскости, ближайшей к отражателю, управляющей сетки определяется временем попадания электронов to в пространство управления. [34]
Обозначим эту вероятность через 1 ( х напомним, что именно так мы обозначали распределение попаданий электронов на экране-детекторе в опыте 1 из § 7 при условии, что щель А открыта, а щель В закрыта. [35]
Нужно еще, чтобы радиальная составляющая поля была пропорциональна расстоянию между осью симметрии и точкой попадания электрона в плоскость отверстия. Несложный вывод показывает, что так оно и есть. [36]
Если локально облучить полупроводниковый слой электронами, то генерируются электронно-дырочные пары, которые в месте попадания электронов повышают проводимость на несколько порядков. Металлическая контактная пленка 4 через уменьшившееся сопротивление облучаемого участка полупроводникового слоя 3 оказывается подключенной к резистивному слою 2 в месте попадания электронного луча. [37]
Так же как при попадании снарядов число поражений пропорционально вероятности поражения в данном квадрате, плотность попадания электронов на фотопластинку находится в прямой пропорциональной зависимости от вероятности их нахождения вблизи данной точки пластинки. Каждое попадание электрона надо рассматривать как тождественный опыт, результат которого заранее не предопределен, и должен предсказываться вероятностным образом: надо указать соотношение между плотностью вероятности и волновой функцией движения электрона. [38]
Но не будем торопиться с выводами и доведем опыт до конца - получим достаточно большое число попаданий электронов на экране-детекторе и посмотрим, как распределятся эти попадания. Вот тут-то нас и ожидает сюрприз. [39]
Так, если в трубке имеются атомы водорода, то регистрируемый гальванометром ток, возникающий благодаря попаданию электронов на пластинку, не изменится до тех пор, пока ускоряющий потенциал не достигнет 10 2 В. При этом наблюдается падение тока в цепи, в которую включена пластинка. Напряжение, равное 10 2 В, называется критическим напряжением или критическим потенциалом для атомарного водорода. Можно также наблюдать и другие критические потенциалы, соответствующие другим возбужденным состояниям, причем самый высокий потенциал равен 13 60 В. Напряжение 13 60 В называется потенциалом ионизации атома водорода. [40]
Взаимодействие электронов и волны приводит к уменьшению горячего поля по сравнению с холодным, что указывает на попадание электронов преимущественно в ускоряющую фазу поля. [41]
Если в трубке, например, находятся атомы водорода, то регистрируемый гальванометром ток, возникающий благодаря попаданию электронов на пластинку, не изменяется до тех пор, пока ускоряющий потенциал не достигнет 10 2 в. При этом наблюдается падение тока в сети, в которую включена пластинка. Напряжение, равное 10 2 в, называется критическим напряжением, или критическим потенциалом, для атомарного водорода. [42]
Принято считать, что на низких частотах ток, протекающий во внешней цепи двух электродов, обусловливается попаданием электронов на один из них. Кроме того, дополнительно может быть учтен ток смещения. Мгновенное значение тока зависит от количества электронов, попадающих на электрод в единицу времени. Такая физическая картина наблюдается на низких частотах, однако она неверна для случая, когда время пролета электронов становится сравнимым с периодом высокочастотных колебаний. В этом случае ток, проте-кающий во внешней цепи, определяется изменением во времени поверхностных зарядов, наведенных на электродах лампы электронами, движущимися в пространстве между ними. [43]
На расстоянии / в направлении оси у от точки О расположена перпендикулярно оси у фотопластинка, регистрирующая следы попаданий электронов. [44]
Возникает вопрос, почему процессы ( 4) и ( 5) не происходят непосредственно при облучении, до попадания электронов в ловушки. По-видимому, в аморфных образцах из-за большой концентрации ловушек стабилизация электронов более эффективна, чем реакция с молекулой спирта. [45]
Страницы: 1 2 3 4