Cтраница 2
Параллельное включение двух или более коронных стабилитронов обычно не применяется. Диапазон рабочих токов лампы может быть расширен путем увеличения длины обоих электродов. [16]
Таким образом, в научных публикациях используются в основном два подхода к решению задачи о влиянии внутренних омических потерь на форму ВАХ СЭ. Это оправдано при описании ВАХ СЭ в таком диапазоне рабочих токов, когда падение напряжения на распределенных компонентах сопротивления сравнимо с величиной AkTIq. ВАХ существенно отличается от расчетной, а сосредоточенный эквивалент распределенных сопротивлений зависит от уровня освещенности и носит нелинейный характер. [17]
Экспериментальные входные характеристики маломощного эпипланарного транзистора при температуре 60, 20, 60 С. [18] |
На рис. 4 приведены экспериментальные зависимости Bxf ( 7l, С) для маломощных планарных транзисторов. Поскольку эти зависимости практически можно считать линейными, облегчается расчет радиоэлектронных схем для микроамперного диапазона рабочих токов. [19]
Зависимость времени выключения. [20] |
Как видно из уравнения ( 2), зависимость времени выключения от тока нагрузки имеет логарифмический характер, однако при токах нагрузки, обычно выбираемых в схемах с применением тиристоров этого типа, эта зависимость, как показал эксперимент, имеет практически линейный характер. Из приведенных на рис. 5 характеристик видно, что время выключения различных образцов тиристоров типа Д238 в диапазоне рабочих токов от 2 до 20 а при температуре окружающей среды 20 С увеличивается примерно на 4 - 5 мксек, независимо от величины начального времени выключения. [21]
Для практики в качестве составного транзистора удобно использовать модуляторный транзистор ( рис. 3.22), выполненный по планар-ной технологии. Имея малый неуправляемый ток, модуляторные транзисторы, включенные по схеме составного транзистора, обладают достаточно хорошими эксплуатационными параметрами при работе как в микро -, так и в наноамперном диапазоне рабочих токов. [22]
Барреттеры используются как стабилизаторы силы тока и соединяются последовательно с нагревательными нитями или нитями накала электронных ламп. Таким образом, они не только сводят до минимума колебания силы тока при колебаниях напряжения питания, но и позволяют измерительным, радио - и другим приборам работать при напряжениях сети, меняющихся от 200 до 240 в. Однако, к сожалению, диапазон рабочих токов барреттеров весьма ограничен. [23]
В начальной стадии лавинного пробоя, как отмечено в § 3.25, процесс ударной ианизации оказывается неустойчивым: ударная ионизация возникает, срывается, возникает вновь в тех местах р-п-перехода, где оказывается в данный момент достаточная напряженность электрического поля. При работе таких, например, приборов, как стабилитроны, шумы - явление вредное. Именно поэтому диапазон токов, соответствующий шумам, исключают из диапазона рабочих токов стабилитронов. Однако для различных измерений в радиотехнике нужны генераторы шумовых напряжений. [24]
В начальной стадии лавинного пробоя, как отмечено в § 3.25, процесс ударной ионизации оказывается неустойчивым: ударная ионизация возникает, срывается, возникает вновь в тех местах р-и-перехода, где оказывается в данный момент достаточная напряженность электрического поля. При работе таких, например, приборов, как стабилитроны, шумы - явление вредное. Именно поэтому диапазон токов, соответствующий шумам, исключают из диапазона рабочих токов стабилитронов. Однако для различных измерений и радиотехнике нужны генераторы шумовых напряжений. [25]
Один и тот же тип реле может иметь обмотки с различными сопротивлениями, которые зависят от конструкции и обмоточного пространства катушек и от диаметра обмоточного провода. Сопротивление обмоток реле может быть от нескольких ом до нескольких килоом и определяет значения токов и напряжений срабатывания и отпускания, диапазоны рабочих токов и напряжений питания, мощность, потребляемую обмоткой при включении реле. [26]
Поскольку база VTn заземлена, то напряжение питания Ек 1 / эя составляет всего 0 7 - 0 8 В, что является одним из главных преимуществ И2Л - схемы. Источником сигнала и нагрузкой И2Л - схемы являются аналогичные схемы, связи с которыми показаны на рис. 5.24 пунктиром. Если транзисторы предыдущей И2Л - схемы, в том числе и VT, закрыты ( на входе 1 высокий уровень напряжения и), то VTt основной схемы открыт и работает в режиме насыщения. Такое условие легко выполнить даже в микроамперном диапазоне рабочих токов транзисторов. Уменьшение рабочего тока играет важную роль в снижении потребляемой мощности И2Л - схемы. [27]
Для высоковольтных транзисторов ССв сильно изменяется при изменении выходного напряжения. В диапазоне больших коллекторных токов значительно уменьшается коэффициент передачи тока BN. При этом уравнение ( 6 21) становится нелинейным. Для приближенных расчетов данные параметры необходимо усреднять в диапазоне рабочих токов и напряжений. [28]
Z-Элемент представляет собой / т-л-структуру с вольт-амперной характеристикой 5-типа. Z-элемент может работать в двух режимах: генераторном и принужденном. Преобразование первого режима во второй осуществляется увеличением тока, протекающего через Z-элемент. Очевидно, что преимуществом генераторного режима является возможность измерения малых значений внешних воздействий. Однако в этом случае диапазон рабочих токов мал, что ограничивает диапазон внешних воздействий. В принужденном режиме значения внешних воздействий превышают некоторое пороговое значение, которое вызывает колебания в Z-элементе. Это значение может быть существенно уменьшено посредством использования двух воздействий, одно из которых вызывает колебания выходного сигнала, а второе управляет их частотой. Разработаны кремниевые Z-элементы, отличающиеся концентрацией примесей и геометрическими размерами, изменяющимися от 1 х 1 х 0 3 мм до 5 х 1 х 0 3 мм. С возрастанием напряженности магнитного поля увеличивается частота выходного сигнала / являющаяся также функцией нескольких величин: времени жизни носителей и их мобильности, концентрации примесей, тока и размеров элемента. Напряжение источника питания для Z-элеменга составляет 3 - 70 В, ток 1 - 5 мА, амплитуда выходного сигнала составляет 1 - 15 В. [29]
Z-Элемент представляет собой / т-и-структуру с вольт-амперной характеристикой S-типа. Z-элемент может работать в двух режимах: генераторном и принужденном. Преобразование первого режима во второй осуществляется увеличением тока, протекающего через Z-элемент. Очевидно, что преимуществом генераторного режима является возможность измерения малых значений внешних воздействий. Однако в этом случае диапазон рабочих токов мал, что ограничивает диапазон внешних воздействий. В принужденном режиме значения внешних воздействий превышают некоторое пороговое значение, которое вызывает колебания в Z-элементе. Это значение может быть существенно уменьшено посредством использования двух воздействий, одно из которых вызывает колебания выходного сигнала, а второе управляет их частотой. Разработаны кремниевые Z-элементы, отличающиеся концентрацией примесей и геометрическими размерами, изменяющимися от 1 х 1 х 0 3 мм до 5 х 1 х 0 3 мм. С возрастанием напряженности магнитного поля увеличивается частота выходного сигнала /, являющаяся также функцией нескольких величин: времени жизни носителей и их мобильности, концентрации примесей, тока и размеров элемента. Напряжение источника питания для Z-элемента составляет 3 - 70 В, ток 1 - 5 мА, амплитуда выходного сигнала составляет 1 - 15 В. [30]