Относительно низкое быстродействие
Cтраница 1
Относительно низкое быстродействие отдельных УВВ приводит к тому, что запросы на обслуживание формируются в каждом УВВ достаточно редко. Электронная аппаратура канала выполняет действие по обслуживанию запроса от УВВ за небольшой интервал времени, в результате чего при работе с одним УВВ аппаратура канала выполняет действия в течение коротких интервалов времени и не используется УВВ в оставшееся время. С целью эффективного использования канала средства канала могут распределяться во времени для обслуживания нескольких одновременно работающих УВВ, передача информации к каждому из которых происходит с незначительной скоростью, определяемой производительностью УВВ. [1]
Относительно низкое быстродействие ВЗУ объясняется тем, что они обычно строятся с использованием электромеханических принципов. [2]
 |
Схема дискриминатора с резонансным контуром, совмещенным с УПЧ. [3] |
Недостатком этой системы являются ее относительно низкое быстродействие, большая стоимость и сложность выполнения по отношению к рассмотренным схемам АПЧ. [4]
 |
Схема блока нелинейности с электроннолучевой трубкой. [5] |
Недостатком только что описанного прибора является его относительно низкое быстродействие. Сейчас мы попробуем построить прибор также со следящей системой, но лишенный этого недостатка. [6]
Основной особенностью машин централизованного контроля ( МЦК) является относительно низкое быстродействие. Быстродействие МЦК в основном определяется скоростью опроса измерительных линий, которая, в свою очередь, зависит от устройства входного коммутатора машины. Транзисторные схемы коммутаторов обеспечивают скорости опроса до 500 точек в секунду ( как, например, в МЦКР Цикл-2 [95 ]) и позволяют использовать такие МЦК при проведении исследований для регистрации медленно меняющихся параметров. [7]
 |
Параллельный сумматор накапливающего типа. [8] |
Сумматоры с поразрядным последовательным переносом наиболее просты, но имеют относительно низкое быстродействие. При увеличении числа разрядов затраты на оборудование в сумматорах с параллельным переносом существенно возрастают. [9]
Недостатки такого рода систем: необходимость большого усиления сигнала детектора, относительно низкое быстродействие и невысокая точность ( см. табл. 4) привели к тому, что сейчас такие интеграторы не строятся. В одном из вариантов такого интегратора двигатель вращается с постоянной скоростью, с его валом на некоторые моменты времени Att сцепляется электромагнитная муфта, ведущая выходной вал интегратора. [10]
Как отмечалось, существенным недостатком цифровых вольтметров временного преобразования является их относительно низкое быстродействие. Так, например, при f0 10 Мгц и m 14 двоичных разрядов быстродействие вольтметра не может быть выше 300 изм / сек. [11]
Внешнее запоминающее устройство ( или внешняя память) обладает большой емкостью и относительно низким быстродействием, а оперативное запоминающее устройство ( или внутренняя память) имеет высокое быстродействие, но меньшую емкость. [12]
Преобразователи угол-код электромеханического типа в цифровых измерительных приборах применяют ограниченно, так как они имеют относительно низкое быстродействие и, кроме того, сам способ измерения с помощью механических перемещений характеризуется сравнительно низкой точностью. [13]
Выбирая в качестве основных магнитные элементы, следует иметь в виду и их недостатки: 1) относительно низкое быстродействие элементов при тактовой частоте до 1 МГц, 2) отсутствие в настоящее время логических магнитных элементов, а в большинстве случаев и матриц для МОЗУ, выпускаемых промышленностью интегральными методами изготовления и, как следствие, большие габариты устройств преобразования, повышенный удельный вес ручных операций при изготовлении устройств. [14]
Хорошо известно, что собственное предельное быстродействие МДП транзисторов, определяемое процессом установления тока в канале, очень велико, а относительно низкое быстродействие МДП схем ( на 2 - 3 порядка меньшее предельного) объясняется наличием в них значительных паразитных емкостей перекрытия, стоковых и истоковых р-п переходов и соединительной металлизации. Отдельные МДП транзисторы формируются в вытравленных в этом слое, изолированных друг от друга островках, что позволяет уменьшить паразитные связи между отдельными компонентами. [15]
Страницы: 1 2 3