Среднее быстродействие

Cтраница 2

Для изготовления матричных БИС среднего быстродействия используются БМК, в которых ячейки матрицы состоят из И2Л или И3Л - структур. Большой практический интерес представляют такие БМК для изготовления аналого-цифровых матричных БИС. Технология изготовления кристаллов с И2Л - структурами хорошо совмещается с технологией изготовления кристаллов с обычными биполярными транзисторами ( рис. 2.14), поэтому на одном кристалле может быть сформировано две матрицы, одна из которых используется для изготовления цифровых узлов и блоков ( матрица с И2Л - структурами), а другая - для изготовления аналоговых узлов и буферных элементов, хорошо совмещаемых с БИС, построенными по ТТЛ -, я - МОП - или КМОП-технологии. Использование И2Л - структур позволяет достигнуть высокой плотности компо-новки элементов в цифровых устройствах. [16]

При выборе ЭВМ предложено учитывать среднее быстродействие и наиболее распространенную конфигурацию машины, количество и эффективность программного обеспечения, возможность совместной работы с машинами этого семейства и другими типами ЭВМ, поддержку, оказываемую поставщиками машины при внедрении системы, стоимость машины, а также личный опыт разработчиков системы. В работе [155] для оценки ЭВМ рекомендовано использовать скорость выполнения определенных комбинаций команд. [17]

Множители п и ft означают соответственно среднее быстродействие и объем оперативной памяти, фактически используемой ЭВМ. [18]

Интегральные схемы ТТЛ являются схемами среднего быстродействия. Эти схемы находят в настоящее время наиболее массовое применение. [19]

При, этом для ЦТС среднего быстродействия диапазон частот выше 50 МГц не представляет практического интереса. Что касается способа введения напряжения помех в питающие цепи изделия согласно CS02, то он менее эффективен, чем введение в виде несимметричного напряжения. [20]

БЭСМ-6 - универсальная машина со средним быстродействием миллион операций в секунду, работает в диапазоне чисел от 2 - 64 до 2 63 и может обеспечить точность вычислений 12 десятичных знаков. В ее электронную схему входят 60 тыс. транзисторов и 180 тыс. полупроводников-диодов. [21]

Однако многие приборы даже с низким и средним быстродействием также стабилизированы обратной связью по скорости. [22]

Устройства СПО характеризуются следующими параметрами: среднее быстродействие процессора 5t20 - 103 операций / с; среднее время выполнения операции обмена между оперативной памятью и второй ступенью памяти д220 мс; сръднее время выполнения операции обмена между оперативной памятью и третьей ступенью памяти Ф3100 мс. [23]

Структурная схема статистического анализатора биопотенциалов. [24]

Для таких целей допустимо применение микропроцессора среднего быстродействия, выполняющего обработку предварительно накопленного массива вне реального времени. Во ВНИИ медицинского приборостроения разработан многопараметрический анализатор биопотенциалов, основанный на этих принципах. [25]

Характерные параметры интегральных логических элементов ТТЛ среднего быстродействия приведены в табл. 12.5. В этой схеме 1 и О соответствуют положительные сигналы высокого и низкого уровней. [26]

В следящих системах автоматических компенсаторов с низким и средним быстродействием вследствие указанных ограничений координат изменение быстродействия достигается изменением коэффициента передачи редуктора. Так, например, в приборах типа ЭПП-09, ЭПД-09, ПС, МС и других используется двигатель РД-09 со встроенным редуктором, имеющим различные передаточные числа: 1 / 270 ( для прибора с временем пробега всей шкалы около 15 сек), 1 / 137 ( 6 - 8 сек), 1 / 75 56 ( 4 - 5 сек), 1 / 39 06 ( 2 - 2 5 сек) и 1 / 15 62 ( 0 8 - 1 сек), причем только в последнем приборе применяется специальная корректирующая цепь для успокоения следящей системы. [27]

Статические ОЗУ на МОП-транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью пазмещепня ячеек на кристалле, чем у биполярных ОЗУ. Первые МОП ОЗУ изготавливались на основе рМОП - транзнсторов с алюминиевым затвором. [28]

Статические ОЗУ на МОП-транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей платностью размещения ячеек на кристалле, чем у биполярных ОЗУ. [29]

Статические ОЗУ на МОП-транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у биполярных ОЗУ. [30]

Страницы: 1 2 3 4