Достаточно высокое быстродействие
Cтраница 1
Достаточно высокое быстродействие регенеративных транзисторных схем с оптическим управлением оказывается полезным при сопряжении оптрон-ных датчиков среднего быстродействия с малоинерционной микроэлектронной техникой. [1]
ЕС-1040 характеризуется достаточно высоким быстродействием, большой емкостью и высокой скоростью обращения к основной оперативной памяти, развитой системой ввода-вывода для обслуживания внешних устройств с различными скоростями передачи данных. Среднее быстродействие машины составляет 320 тыс. операций / сек. [2]
ЕС-1040 характеризуется достаточно высоким быстродействием, большой емкостью и высокой скоростью обращения к основной оперативной памяти, развитой системой ввода-вывода для обслуживания внешних устройств с различными скоростями передачи данных. Среднее быстродействие машины составляет 320 тыс. оп / сек. [3]
Если процессор имеет достаточно высокое быстродействие ( пусть даже и не безграничное) и невысокую стоимость, то обсуждаемое противоречие исчезает, так как интересы повышения эффективности не являются существенными. Процессоры будут дешевыми в ближайшем будущем и это приведет к тому, что концепция мультипрограммирования, возможно, будет исчезать. [4]
 |
Структурная схема электрогидравлического усилителя с силовой обратной связью от золотника к заслонке. [5] |
Это позволяет получать достаточно высокое быстродействие электрогидравлического усилителя о силовой обратной связью. [6]
Регулятор должен обладать достаточно высоким быстродействием, обеспечивая ликвидацию крупных нарушений заданного режима ( таких, как к. Он должен осуществлять автоматическое зажигание дуг печи и плавное изменение задаваемой мощности, в пределах 20 - 125 % номинальной, а при исчезновении питающего печь напряжения останавливать электроды. [7]
ОУ ОСИ при достаточно высоком быстродействии имеют хорошие статические параметры ( 1 / см, / вх, Л / вх, Кос. Кроме того, ОУ ТОС уступают по простоте применения ОУ с обратной связью по напряжению. [8]
Большая функциональная насыщенность, достаточно высокое быстродействие и средняя потребляемая мощность обеспечивают этому комплекту наибольшую распространенность применения. Особенностью комплекта являются фиксированные разрядность ( 8 разрядов) и система команд ( совместима с микроЭВМ СМ 1800), что однозначно определяет структуру устройств, построенных на его основе. Микросхемы КР580ГФ24, КР580ВК28, КР580ВК38, КР580ИР82, КР580ИР83, КР580ВА86, КР580ВА87 комплекта выполнены по биполярной технологии ТТЛШ, остальные - по пМОП - тех-нологии. [9]
Большая функциональная насыщенность, достаточно высокое быстродействие и средняя потребляемая мощность обеспечивают этому комплекту наибольшую распространенность применения. Особенностью комплекта являются фиксированные разрядность ( 8 разрядов) и система команд ( совместима с микроЭВМ СМ1800), что однозначно определяет структуру устройств, построенных на его основе. [10]
Монокристаллы титаната висмута обладают достаточно высоким быстродействием переключения оптических свойств ( микросекунды), но имеют ограниченные размеры, Для считывания информации необходима специальная ориентация осей кристалла н пластинке, что в итоге приводит к усложнению и удорожанию конструкции ПВМС. Для молибдата гадолиния характерно большое естественное двулучепреломление и ферроэластичность. [11]
 |
Стойка ( вид в плане. [12] |
Младшие модели СМ ЭВМ обеспечивают достаточно высокое быстродействие - 100 - 200 тыс. операций в секунду. Старшие модели СМ ЭВМ имеют быстродействие до 700 тыс. операций в секунду. [13]
Такие пленки обеспечивают необходимое сочетание достаточно высокого быстродействия, информационной емкости в ограниченном объеме: малыми энергетическими затратами на управление и сохранение информации. [14]
ОЗУ ЭВМ третьего поколения характеризуется достаточно высоким быстродействием, время выборки составляет доли микросекунды. Однако в наиболее быстродействующих ЭВМ даже такая скорость может оказаться недостаточной. В этом случае в составе ЭВМ используют так называемое сверхоперативное запоминающее устройство ( СОЗУ), у которого время выборки информации на порядок меньше, чем в ОЗУ. СОЗУ обеспечивает согласование скорости работы быстродействующего АЛУ и менее быстродействующей оперативной памяти. Емкость современных СОЗУ обычно не превышает нескольких тысяч слов, а оперативных ЗУ - нескольких миллионов слов. Для построения ОЗУ и СОЗУ применяют специальные полупроводниковые интегральные запоминающие элементы, а также малогабаритные ферритовые сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса. [15]
Страницы: 1 2 3 4