Cтраница 4
Если ближний порядок не изменяется, свойства полупроводника в кристаллическом, аморфном или жидком состояниях мало отличаются друг от друга. Поэтому можно считать, что полупроводниковые свойства связаны не с периодической структурой кристалла, а с конденсированным состоянием вещества, с одинаковым в среднем взаимодействием большого числа однородных элементов. [46]
Понятие ближний порядок, простое для случая малых молекул низкомолекулярных веществ, требует более глубокого анализа в случае полимеров. [47]
Однако достаточно совершенный ближний порядок прин - - ципиально отличается от мало совершенного дальнего порядка. [48]
Учет ближнего порядка вокруг иона. [49]
![]() |
Координационные сферы ( 1, 2, 3 в структуре типа NaCl. [50] |
Понятие ближнего порядка вскрывается прежде всего в свете теории комплексных соединений. Согласно периодической системе, в соединениях S03 и Н20 валентности V атомов серы по кислороду ( V 6) и кислорода по водороду ( V 2) насыщены. Количество периферических атомов ( О) или молекул ( лигандов) вокруг центрального атома называется координационным числом ( к. [51]
Понятие ближнего порядка вскрывается прежде всего - в свете теории комплексных соединений. Согласно периодической системе в соединениях SO3 и Н2О валентности V атомов серы по кислороду ( V - 6) и кислорода по водороду ( V 2) насыщены. [52]
Влияние ближнего порядка на р зависит от характера кулоновского поля в кристаллич. СидАн ближний порядок увеличивает рост, а в Си - 7л - уменьшает. [53]
![]() |
Искажения решетки в твердых растворах замещения. а - атом растворенного элемента больше атома растворителя. б - атом растворенного вещества меньше атома растворителя. [54] |
Степень ближнего порядка при аг 0 максимальна при стехиометрии, составе, отвечающем возникающей ниже точки Курнакова Гк сверхструктуре, н убывает но мере удаления от этого состава. [55]
Различие ближнего порядка обнаруживается впервые у стекол, состоящих из элементов IV периода, и закономерно возрастает при переходе к элементам V и VI периодов. [56]
Понятие ближнего порядка можно рассматривать не только как физически связанное с понятием дальнего порядка, особенно при высоких степенях последнего, но как развитие понятия дальнего порядка при распространении его не на весь кристалл, а лишь на более или менее ограниченную его часть. При этом термин дальний следует, конечно, понимать в несколько условном смысле, в зависимости от величины тех расстояний, для которых степень порядка в чередовании атомов разного сорта остается более или менее постоянной по величине и по знаку. Степени порядка, отличающиеся друг от друга только знаком ( при единообразном для всего кристалла разделении узлов на четные и нечетные), мы будем считать эквивалентными. [57]
Областью ближнего порядка называют ту часть конфигурационного пространства в окрестности конфигурационной точки, где F2 заметно отличается от единицы. Если Fz осциллирует, максимумы соответствуют областям, где условная вероятность обнаружить частицу возрастает, а на расстояниях, соответствующих минимумам F2, нахождение частицы маловероятно. Периодическое чередование максимумов и минимумов, выраженных весьма четко, если температуры не слишком высоки ( вдали от точки плавления), характеризует кристаллические структуры. Затухающие осцилляции характерны для жидкой фазы или плотных газов при низких температурах. [58]
Признаком ближнего порядка в расположении является локальность моментных функций второго и более высоких порядков полей структурных физико-механических свойств. Ближний порядок во взаимодействии означает, что на формирование полей деформирования в некоторой подобласти, содержащей произвольно выделенное включение решающее влияние оказывают лишь ближайшие к ней включения из их произвольно большого ( в том числе и бесконечного) множества. [59]