Диапазон - короткая волна
Cтраница 3
В диапазоне коротких волн предусмотрена возможность приема радиовещательных станций как на магнитную, так и на штыревую телсс: опи гскую антенну. Последняя подключается к входным контурам через емкостной делитель. [31]
В диапазонах коротких волн для приема используется штыревая телескопическая антенна. [32]
В диапазоне коротких волн предусмотрена возможность приема радиовещательных станций как на магнитную, так и на штыревую телескопическую антенну. Последняя подключается к входным контурам через емкостной делитель. [33]
В диапазонах коротких волн для приема используется штыревая телескопическая антенна. Входные контуры с базой транзистора TI имеют индуктивную связь, а с наружной антенной - емкостную, на диапазонах ДВ и СВ через конденсатор С. [34]
В диапазоне коротких волн бвх ц и УВЧ обычно является весьма пологой и на избирательность по соседнему каналу практически не влияет. [35]
В диапазоне очень коротких волн Г - соединение имеет более сложную эквивалентную схему. В ЭПР-спектрометрах обычно используются коаксиальные Г - сое-динения на длинах волн, намного превышающих радиус коаксиального кабеля и поэтому не возникает проблем, связанных с согласованием Г - соединений. Это, в частности, имеет место в случае применения кабеля для передачи модулирующего напряжения частоты 100 кгц. В некоторых случаях согласование приобретает серьезное значение. [36]
В диапазоне длинных и коротких волн продолжительность импульсов наводимого сеточного тока ничтожно мала по сравнению с периодом первой гармоники генерируемых колебаний, и вследствие этого первая гармоника сеточного тока, определяемая конечным временем пролета электронов, также ничтожно мала. Этим током обычно пренебрегают. [37]
В диапазоне коротких волн радиовещательных приемников, где допускается большая неточность сопряжения, ограничиваются точным сопряжением в двух или даже в одной точке. В последнем случае точкой точного сопряжения должна быть середина диапазона. Для этого рассчитываются индуктивность контура гетеродина с помощью графика рис. 5.6 а, как это было показано выше. [38]
Замирания в диапазоне коротких волн проявляются в беспорядочном изменении силы сигналов в месте приема, вызывающем, если не предпринято специальных мер, беспорядочное изменение оптической плотности на записываемом изображении. Амплитуда сигнала при замираниях может меняться в десятки, сотни, а иногда и тысячи раз. Максимумы силы сигналов чередуются с глубокими минимумами. По своей природе замирания делятся на интерференционные, вызванные сложением нескольких различных по фазе колебаний, приходящих Е место приема, и поляризационные, являющиеся следствием изменений поляризации приходящих волн. [39]
 |
Двухкон-турные автогенераторы со связью через междуэлектродные емкости лампы. [40] |
Уже в диапазоне коротких волн катушки контуров содержат всего несколько витков, а емкости становятся соизмеримыми с междуэлектродными и монтажными емкостями, поэтому плавная регулировка обратной связи становится практически невозможной. [41]
Но уже в диапазоне коротких волн обязательно следует учитывать нестабильность частот передатчика и гетеродина. Рассмотрим сказанное на примере. [42]
Интерференционные замирания в диапазоне коротких волн создаются, во-первых, в результате того, что в ионосфере неизбежны неоднородности, вследствие чего наблюдается ( рис. 6 - 18, а) не зеркальное, а диффузное отражение лучей от ионосферы. Если на нижнюю границу ионосферы падает один луч, то после отражения образуется пучок лучей, вследствие чего к месту приема ( например, в точку В) приходит несколько лучей, относящихся к разным пучкам. Фазы складывающихся в точке приема лучей различны ( из-за различия в расстояниях), вследствие чего возможно как увеличение, так и уменьшение амплитуды суммарного колебания. [43]
 |
Режимы работы по постоянному току транзисторов. [44] |
Частота гетеродина на диапазонах коротких волн выбрана ниже частоты принимаемого сигнала, что позволило получить хорошее ослабление сигнала зеркального канала. Оптимальное условие преобразования частоты во всем диапазоне выполняется при напряжении гетеродина на эмиттере транзистора Т 100 - 150 мв. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5