Построение - картина - поле
Cтраница 1
 |
Элемент потенциальной сетки. [1] |
Построение картины поля при постоянном и переменном токах возбуждения одинаково. При переменном токе расчет обычно ведется по амплитудным значениям. [2]
 |
Система криволинейных квадратов. [3] |
Построение картины поля является кропотливой работой; оно требует известных навыков, которые даются опытом. [4]
Построение картины поля делается в следующем порядке. Проводятся линия симметрии поля ОМ и линия симметрии построения АО. Проводим кривую DCF в качестве одной из 1вероятных линий толя и симметрично расположенную эквипотенциальную линию ОСЕ. [5]
Построение картины поля рассеяния не является точным. К погрешности в расчете магнитной цепи приводит и упрощение в выборе пути магнитного потока в деталях магнитной цепи сложной формы, которая характерна для большинства электрических машин и аппаратов. [6]
После построения картины поля выполняют расчет интересующих параметров. [7]
Метод построения картины поля пригоден для всех практических случаев двухмерных полей и трехмерных полей в случае наличия осевой симметрии. [8]
Метод построения картины поля применяется в случаях сложных форм воздушных зазоров, например между криволинейными поверхностями полюсов. [9]
 |
Случаи симметричного расположения полюсов.| Картина поля у внешнего и внутреннего углов. а - поле угла 270. б - поле угла 90. [10] |
Правило построения картины поля у внешних и внутренних углов с достаточно длинными сторонами. Такие поля ( рис. 3 - 6) можно использовать для построения отдельных участков практически встречающихся полей. [11]
Метод построения картины поля применяется довольно редко в связи с большой трудоемкостью, но дает наибольшую точность в определении проводимостеи. Как правило, метод построения картины поля применяется для определения проводимостеи между полюсами сложной конфигурации. [12]
Перед построением картины поля должны быть заданы значения потенциала на границах области. [13]
При построении картины поля следует соблюдать следующие правила: а) линии напряженности поля и линии постоянного потенциала должны пересекаться под прямым углом, б) линии напряженности поля должны подходить под прямым углом к поверхностям, на которых потенциал постоянный, в) ячейки сетки, образованные линиями напряженности поля и линиями постоянного потенциала, должны быть подобными. [14]
При построении картины поля сначала проводятся ориентировочно линии уровня, для каждой из которых известны две точки: в воздушном зазоре магнитный потенциал меняется пропорционально расстоянию от поверхности полюса, а потенциал на поверхности полюса зависит от того, какой токовый слой охватывается. [15]
Страницы: 1 2 3 4