Построение - запоминающие устройство
Cтраница 2
В предыдущем разделе были рассмотрены интегральные схемы, предназначенные для построения статических и динамических запоминающих устройств на МОП-транзисторах. Каким образом используются эти схемы для реализации памяти микропроцессорных систем. Какие вспомогательные схемы должны быть размещены на плате памяти. [16]
Термопластические фотохромные слои представляют большой интерес с точки зрения перспективы построения запоминающих устройств со свойствами оперативности. При этом следует отдать предпочтение фотохромным слоям, обеспечивающим большую простоту устройств записи и считывания, нежели термопластические. [17]
Малые размеры, простота и высокая надежность делают их пригодными для построения больших запоминающих устройств. [18]
Первые быстродействующие электронные вычислительные машины, в которых были применены для построения счетных и запоминающих устройств электронные лампы, появились в 1945 - 1950 гг. В быстродействующих вычислительных машинах арифметические операции выполняются в десятки тысяч раз быстрее, чем на обычных машинах. Новые запоминающие устройства в отличие от перфоленты, движущейся в постоянном направлении, позволяют изменять хранящиеся в них команды и переходить от каждой команды не только к последующей, но и к любой из предыдущих. Поэтому одновременно с введением в машину быстродействующих электронных элементов был сделан решающий шаг в области усовершенствования управления автоматической работой машины. [19]
Однако это ведет к усложнению схемы управления и требует дополнительного оборудования для построения запоминающих устройств, что в одноканаль-ных регуляторах. [20]
Металлическая лента имеет худшую прямоугольность, чем ферриты, и, следовательно, малопригодна для построения запоминающих устройств. Импульсные характеристики магнитных элементов обычно содержат больше информации, чем коэффициент прямоугольное петли гистерезиса; ниже они будут рассмотрены более подробно. [21]
Для организации серийного производства машин четвертого и последующих поколений необходимо ориентироваться на новые физические принципы построения запоминающих устройств. Среди них наиболее перспективными являются запоминающие устройства на магнитных доменах и оптоэлект-ронные. В последних для записи и чтения информации используется луч лазера и голограммы. [22]
Отсюда следует, что сердечники с малой прямоугольностью петли гистерезиса, а также сердечники, обладающие большим разбросом параметров, для построения матричных запоминающих устройств непригодны. Необходимость тщательного отбора сердечников увеличивает стоимость матричного запоминающего устройства. [23]
Микросхема представляет собой схему усилителя считывания с промежуточным выходом для ЦМД и предназначена для усиления считываемого сигнала с ЦМД схем различной информационной емкости; построения запоминающих устройств на основе ЦМД различной информационной емкости в системах вычислительной техники. [24]
Наиболее широко проводятся сейчас поисковые работы, направленные на создание оптических запоминающих устройств большой емкости, которые могли бы использоваться вместе с ЭВМ. Для построения оптических запоминающих устройств необходимы светочувствительные материалы, допускающие многократное повторение операций записи, хранения, считывания и стирания сигналов; это так называемые реверсивные оптические среды. Разрабатываются оптические запоминающие устройства двух типов. В запоминающих устройствах первого типа запись, запоминание и считывание информации выполняются поразрядно ( по-битно), адресация производится оптическим способом. Весьма перспективными, но более сложными для реализации, являются оптические запоминающие устройства второго типа, работающие с постраничным ( параллельно осуществляемым) запоминанием информации, называемые топографическими. Голограмма содержит множество микроскопических пятнышек, зафиксированных в светочувствительном слое, например в светочувствительном слое фотопластинки, при обычном просмотре которых невооруженным глазом или под микроскопом не создается представления о записанной на голограмме информации; однако соответствующее изображение, отвечающее нормальному зрительному восприятию человека, появляется при просвечивании фотопластинки с голографической записью лучом исходящего от лазера когерентного света. Таким же образом должно производиться запоминание сигналов при применении для их регистрации реверсивной оптической среды. Принцип работы этих устройств основан на использовании эффектов интерференции и дифракции волн света и на использовании принципа Гюйгенса - Френеля, о которых выше упоминалось. [25]
 |
МДП структура с переменной емкостью.| Зависимость емкости МДП структуры от напряжений на электродах. [26] |
Запоминающие элементы, построенные на биполярных и обычных МДП транзисторах, обладают тем существенным недостатком, что даже кратковременное отключение питания приводит к разрушению записанной информации. Это затрудняет построение надежных полупроводниковых запоминающих устройств с электрической перезаписью информации. Поэтому большое значение приобретают бистабильные МДП структуры, позволяющие создавать запоминающие элементы с электрической перезаписью и неразрушаемой при отключении питания информацией. Принцип действия бистабиль-ных МДП транзисторов заключается в создании в слое диэлектрика объемного заряда, изменяющего пороговое напряжение. [27]
Одним из наиболее перспективных типов запоминающих устройств являются системы с использованием сердечников из магнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса, так называемых ферритов. Рассмотрим применение этих сердечников для построения запоминающих устройств электронных цифровых машин. [28]
Коэффициент прямоугольпости петли гистерезиса магнитного материала, определяемый из фиг. Br / Bs, является важной характеристикой, когда для построения запоминающих устройств применяются ферриты. [29]
 |
Стандартная перфокарта. [30] |
Страницы: 1 2 3