Схемотехническое построение

Cтраница 1

Схемотехническое построение и элементная база БИС ЗУ определяют их основные характеристики: информационную емкость, быстродействие и потребляемую мощность. [1]

Схемотехническое построение ОУ основано на применении основных каскадов, рассмотренных в § 7.2. В большинстве случаев ОУ строят по двухкаскадной схеме. Входной каскад представляет собой ДК с эталоном тока, построенный в соответствии с одной из схем, приведенных на рис. 7.3. Во многих ОУ используется каскадное соединение двух ДК, обеспечивающих ослабление синфазных сигналов и высокое усиление по каждому входу. Дифференциальный вход ОУ обеспечивает возможность инвертирующего и неинвертирующего усиления, что упрощает введение отрицательных обратных связей при практическом применении ОУ. Выходной каскад строят по одной из схем, приведенных на рис. 7.4. Сигнал с однотактного выхода ДК поступает на второй каскад усиления, а затем на вход выходного каскада. [2]

Схемотехническое построение устройств второй группы 151, в отличие от устройств первой группы, более универсально. Эти совмещенные выходные органы могут уже входить в структуру устройств, защищающих электродвигатель практически от всех аварийных режимов. [3]

Такому схемотехническому построению с теми или иными изменениями либо дополнениями соответствует большинство ИМС ОУ общего применения. Кроме того, полевые транзисторы позволяют подавать большие дифференциальные входные напряжения ( на уровне единиц вольт), что расширяет область их применения. [4]

Данные принципы схемотехнического построения особенно проявляются в общих для различных ИМС структурах, таких, как дифференциальные каскады, эталоны тока, входные и выходные каскады. [5]

В зависимости от схемотехнического построения ИМС АП подразделяются на ИМС для модуляторов ( К140МА1) и четы-рехквадратных перемножителей ( К. [6]

ИМС достигается реализацией двух принципов их схемотехнического построения: взаимного согласования и избыточности. [7]

Для кода NRZ требуются самые простые для схемотехнического построения приемник и передатчик. [8]

Последнему условию в большей степени отвечают приборы с цифровым отсчетом, однако сложность их схемотехнического построения и относительно высокая сто-йшеть комплектующих элементов часто становятся преградой в их реализации. Имеют евои недостатки и аналоговые приборы с непосредственной оценкой измеряемого параметра. Они сравнительно просты схемотехнически и конструкционно, но отличаются большими габаритами, определяемыми всецело размерами измерительной го-лоеки, в эксплуатации требуют осторожного обращения. Ктому же им противопоказана длительная работа при вибрациях, что характерно для дорожных условий. [9]

Главы, посвященные конкретным моделям телевизоров, построены по единому методическому принципу: общая характеристика - схема межблочных соединений - конструкция телевизора - схемотехническое построение отдельных блоков - методика нахождения неисправностей. [10]

Основными параметрами ИМС компараторов наряду с параметрами, характеризующими ОУ, являются чувствительность ( точность, с которой различаются входные сигналы и опорное напряжение), быстродействие ( определяется временем задержки срабатывания и временем нарастания сигнала), нагрузочная способность. Конкретные значения параметров определяются схемотехническим построением ИМС компараторов. [11]

Проектирование топологии МДП-ИМС является более простой задачей по сравнению с проектированием ИМС на биполярных транзисторах. Кроме того, относительная простота может быть объяснена особенностями схемотехнического построения МДП-ИМС, при котором МДП-транзистор является единым типовым элементом, а между отдельными элементами используется непосредственная связь. [12]

Схема трансформаторного формирователя. [13]

Импульсные усилители УЗ частоты ( видеоусилители) предназначены для усиления однополярных или двуполярных импульсных сигналов, частота повторения которых составляет от десятков килогерц до нескольких мегагерц при длительности порядка нескольких микросекунд. Предъявляются особые требования не только к компонентам усилителя ( прежде всего, к активным - транзисторам или микросхемам), но и к его схемотехническому построению. При выборе активных компонентов прежде всего учитываются их высокочастотные свойства. [14]

Страницы: 1