Потенциал - распределение
Cтраница 1
 |
Строение двойного скачка потенциала в. [1] |
Потенциалы распределения, определяемые различиями вскорости перехода через границу раздела электрически заряженных частиц - ионов или электронов. Примерами служат скачки потенциала на границе металл - вакуум, мембранные потенциалы и потенциалы на границе металл - раствор одноименных ионов, представляющие основной интерес в электрохимии. [2]
Потенциалы распределения, определяемые различиями в скорости перехода через границу раздела электрически заряженных частиц - ионов или электронов. Примерами служат скачки потенциала на границе металл - вакуум, мембранные потенциалы и потенциалы на границе металл - раствор одноименных ионов, представляющие основной интерес в электрохимии. [3]
Мы будем теперь искать потенциал распределения масс, которое определим следующим образом. Обозначим через ds элемент поверхности, по которой распределены массы, п - ее нормаль. Представим себе, что точки поверхности перенесены по нормали п на бесконечно малые длины, которые могут непрерывно изменяться; таким образом образуется вторая поверхность, бесконечно близкая к первой, элементы которой соответствуют элементам первой. Вообразим массу, распределенную по каждому элементу второй поверхности, в точности равную по величине, но противоположную по знаку массе, находящейся на соответственном элементе первой поверхности. Обозначим через i взятое отрицательным произведение плотности массы, расположенной на элементе ds первой поверхности, на расстояние, считаемое положительным в направлении п до соответственного элемента второй поверхности, и будем считать это произведение конечным. [4]
 |
Дипольные суммы кристаллического антрацена, см - / А. 2. [5] |
Сущностью теории потенциалов [ 94 является то, что потенциал распределения заряда, измеренного в достаточно отдаленной точке, может быть выражен в виде суммы потенциалов, обусловленных рядом точечных мультиполей в центре распределения. Для того чтобы такое представление удовлетворяло потенциалу взаимодействия двух распределений зарядов, двухцентровый потенциал [48] разлагают в ряд по членам взаимодействий между точечными мультиполями, расположенными в центрах распределений двух зарядов. [6]
Такая разность электрических потенциалов при распределении одной соли между двумя растворителями называется потенциалом распределения. [7]
Известно также, что всякая функция ф, удовлетворяющая этому дифференциальному уравнению внутри односвязного5 пространства, может быть представлена, как потенциал известного распределения магнитных масс на его границах, как я об этом упоминал уже во введении. [8]
 |
Характерное распределение влагосодержания. [9] |
При перемещениях влаги в жидкой фазе парциальное давление водяного пара уже не может рассматриваться как основной энергетический фактор, вызывающий влагообмен. Для изучения закономерностей влагообмена вводится понятие потенциала распределения влаги, связанное с капиллярной способностью и удельной влагоемкостью материалов, при соприкосновении которых происходит перемещение влаги. Материалы с более тонкими капиллярами впитывают влагу из материалов со сравнимой смачиваемостью, но с более широкими капиллярами. Внешние физические воздействия ( например, сила тяжести, перепады температур и давлений) вызывают перемещения влаги в том случае, когда энергетический уровень этих воздействий выше уровня сил, удерживающих влагу в порах материала. Количество переносимой влаги пропорционально разности энергетических уровней внешних воздействий и сил, удерживающих влагу. Эта разность является потенциалом переноса влаги. Так, в переувлажненных материалах с крупными порами капиллярное давление, удерживающее влагу, ничтожно, и влага смещается вниз под влиянием силы тяжести. Таких явлений не происходит в смачиваемых материалах с мелкими порами и тонкими капиллярами, где капиллярное давление велико. [10]
Предположим, что у нас имеется произвольное распределение электричества, и поместим в поле точечный единичный заряд. Пусть поверхность нулевого потенциала полностью отделяет эту точку от имеющегося распределения заряда. Тогда, приняв эту поверхность за поверхность s, а точку - за точку Р, получим, что функция Грина для любой точки с той же стороны поверхности, что и Р, будет совпадать с потенциалом распределения электричества, существующего по другую сторону поверхности. Значительно труднее найти вид функции при заданной поверхности s и при произвольном положении точки Р, хотя, как мы показали, математически это возможно. [11]
При формулировке адиабатического приближения предполагается, что средняя скорость дополнительного слабо связанного электрона мала но сравнению со скоростью валентных электронов и электронов замкнутых оболочек молекул среды. Такое предположение следует из того, что при малой энергии связи, согласно теореме вириала, кинетическая энергия дополнительного электрона также относительно мала. В таком случае можно использовать приближение, эквивалентное адиабатическому приближению молекулярной физики. Предполагают, что на электроны среды действует поле фиксированного точечного заряда, который временно находится в покое. В то же время на слабо связанный электрон воздействует потенциал усредненного распределения зарядов, обусловленный электронами среды. Подобный подход аналогичен трактовке высоковозбужденных состояний атома гелия, предложенной Бете, и описанию поляризации замкнутой оболочки согласно Синаноглу. [12]
При формулировке адиабатического приближения предполагается, что средняя скорость дополнительного слабо связанного электрона мала по сравнению со скоростью валентных электронов и электронов замкнутых оболочек молекул среды. Такое предположение следует из того, что при малой энергии связи, согласно теореме вириала, кинетическая энергия дополнительного электрона также относительно мала. В таком случае можно использовать приближение, эквивалентное адиабатическому приближению молекулярной физики. Предполагают, что на электроны среды действует поле фиксированного точечного заряда, который временно находится в покое. В то же время на слабо связанный электрон воздействует потенциал усредненного распределения зарядов, обусловленный электронами среды. Подобный подход аналогичен трактовке высоковозбужденных состояний атома гелия, предложенной Бете, и описанию поляризадии замкнутой оболочки согласно Синаноглу. [13]
Страницы: 1