Cтраница 2
Из этой формулы видно, что потенциал положительного точечного заряда положителен и убывает с расстоянием от заряда, а потенциал точек поля, созданный отрицательным зарядом, - отрицателен и увеличивается при удалении от заряда. [16]
Но изучение электростатического поля при помощи зондов трудно осуществимо, так как в непроводящей среде не может происходить автоматическое выравнивание потенциала точки поля и введенного в нее зонда. Чтобы это выравнивание произошло, необходимо обеспечить стека-ние зарядов с зонда. Поэтому изучение электростатического поля заменяют изучением поля постоянного во времени электрического тока. Для осуществления такой замены поле зарядов, расположенных на поверхности электродов, должно совпадать по своей структуре с исследуемым электрическим полем. Метод изучения электростатического поля путем создания другого эквивалентного ему поля называется моделированием. [17]
Из этой фигуры видно, что по мере приближения к заряженному телу эквипотенциальные поверхности располагаются теснее друг к другу, так как потенциал точек поля быстро увеличивается, а разность потенциалов между соседними поверхностями, согласно принятому условию, остается одной и той же. И наоборот, по мере удаления от заряженного тела эквипотенциальные поверхности располагаются реже. [18]
Следует иметь в виду, что сложное электрическое поле, созданное несколькими зарядами, проще изучать, определяя потенциалы, а не напряженность поля. В первом случае потенциал точки поля находится алгебраическим суммированием потенциалов полей отдельных зарядов; во втором случае приходится прибегать к геометрическому сложению векторов напряженности этих полей. [19]
При непрерывной электризации тел их заряды по величине остаются неизменными, поэтому и потенциалы поля во всех точках остаются постоянными. Для того чтобы изменить потенциалы точек поля в несколько раз, необходимо изменить электрические заряды тел во столько же раз. [20]
![]() |
К определению работы перемещения заряда до на пути ds. [21] |
Как будет показано ниже, силы электростатического поля обладают тем свойством, что работа, совершаемая ими при перемещении заряда, зависит не от того, по какому пути заряд перемещается, а зависит только от величины заряда и от его начального и конечного положений. Это свойство поля позволяет охарактеризовать любую точку поля с помощью особой функции, называемой потенциалом точки поля. Работа перемещения заряда от точки к точке выражается через разность значений потенциалов этих двух точек. [22]
![]() |
Кривые распределения потенциала в диоде. [23] |
На движение электронов в лампе сильно влияет отрицательный пространственный заряд, образуемыми электронами, находящимися между катодом и анодом. Если предположить, что анод и катод представляют собой бесконечные параллельные плоскости, между которыми нет электронов, то поле между ними, созданное анодным напряжением иа, однородно и потенциалы точек поля возрастают равномерно от катода к аноду. [24]
![]() |
Кривые распределения потенциала в диоде. [25] |
На движение электронов в лампе сильно влияет отрицательный пространственный заряд, образуемый электронами, находящимися между катодом и анодом. Если предположить, что анод и катод представляют собой бесконечные параллельные плоскости, между которыми нет электронов, то поле между ними, созданное анодным напряжением и3, однородно и потенциалы точек поля возрастают равномерно от катода к аноду. Так как потенциал катода условно принимают равным нулю, то прямая распределения потенциала между анодом и катодом ( прямая / на рис. 11.2) проходит через нуль. [26]
Непосредственное решение данной задачи сложно, так как поле создается как заданным точечным зарядом, так и индуктированным на поверхности шара отрицательным зарядом. Так как шар заземлен, то потенциал всех точек его поверхности равен нулю. Это и есть граничное условие для потенциала точек поля данной задачи. [27]
Управляющая и экранирующая сетки имеют одинаковый шаг намотки, и витки их расположены. Благодаря этому каждый пучок разбивается на ряд узких электронных лучей большой плотности. В результате на некотором расстоянии от анода потенциал точек поля оказывается ниже потенциала анода. Вторичные электроны, выбитые из анода, затормаживаются этим полем и возвращаются на анод. Поэтому лучевые тетроды рассчитаны на работу при анодньих токах не менее 20 - 50 ма. [28]
![]() |
Лучевой тетрод. а - конструкция. б - условное обозначение.| Условное обозначение пентода. [29] |
Управляющая и экранирующая сетки имеют одинаковый шаг намотки, витки их расположены точно друг за другом. Благодаря этому каждый пучок разбивается на ряд узких электронных лучей большой плотности. В результате на некотором, расстоянии от анода потенциалы точек поля заметно снижаются. [30]