Потенциал - элемент
Cтраница 2
 |
Внешний вид потенциалоскопа с барьерной сеткой. [16] |
Сигнал модулирует потенциал сетки, и потенциал элемента поверхности мишени, где в некоторый момент находится луч, равен мгновенному потенциалу сетки. Значит, после однократного пробега луча на поверхности мишени останутся система зарядов и ее потенциальный рельеф, который является записью сигнала. Эта запись может сохраняться некоторое время, так как проводимость мишени мала. [17]
На рис. 24 нанесены известные из спектроскопических данных цснизационные потенциалы элементов; они определяют энергии связи электронов, добавляемых при переходе от каждого элемента к следующему. [18]
По этой причине влияние осаждающего агента на потенциал элемента всегда может быть объяснено на основании влияния этого осаждающего агента на концентрацию одной или нескольких реагирующих частиц. [19]
Зная относительные потенциалы полуреакций, можно рассчитать потенциал элемента; кроме того, они применяются при вычислении констант равновесия. [20]
 |
Расположение электродов в трубке с накоплением зарядов на диэлектрической мишени. [21] |
Совокупность электрических зарядов разной величины соответствует различным значениям потенциалов элементов, сохраняющих эти заряды. В результате поверхность диэлектрика или мозаики приобретает некое распределение потенциалов, называемое потенциальным рельефом. [22]
Преимуществом потенциометра является то, что в момент измерения потенциала элемента ток через него не течет ( равен нулю) и, следовательно, величина потенциала получается без погрешности. [23]
 |
Зависимость потенциала полупроводникового слоя от. [24] |
Эта зависимость показана на рис. 10.22. По оси ординат отложены потенциалы элементов по верхности пластины, а по оси абсцисс - количества освещения Нг. Элемент освещенной поверхности селенового слоя электрически эквивалентен конденсатору, разряжающемуся через сопротивление, поэтому кривая Vf ( Hr) имеет вид, близкий к экспоненте. [25]
Коммутация осуществляется пучком медленных электронов ( г1), поэтому потенциал элементов мишени в процессе считывания стабилизируется и приближается к потенциалу катода. В); следовательно, диоды матрицы находятся в закрытом состоянии, а накопительные емкости после коммутации заряжены. Образующиеся под действием света возбужденные неосновные носители заряда разряжают элементарные конденсаторы, причем скорость разряда определяется освещенностью. Следовательно, ток заряда ( сигнала) в этих условиях также определяется скоростью разряда накопительной емкости к моменту повторной коммутации. Таким образом, формирование сигнала в процессе коммутации аналогично формированию сигнала в видиконе. [26]
Очевидно, видеосигнал будет иметь тем большую амплитуду, чем выше потенциал освещенного элемента перед коммутацией. Однако, как это видно из выражения (12.12), скорость нарастания потенциала освещенного элемента значительно снижается за счет возвращающихся на этот элемент вторичных электронов и фотоэлектронов. Опытным путем установлено, что 70 - 75 % накапливаемого заряда нейтрализуется перераспределяющимися электронами и только около 25 % участвует в создании видеосигнала. Таким образом, видеосигнал не превышает 74 теоретически возможного. [27]
Влияние меди на осаждение никеля авторы работы [ 177] объясняют увеличением разности потенциалов цементационного элемента, а кадмия - стабилизацией анодного процесса растворения цинка. В работе [ 178] очистку растворов от никеля и германия рекомендуют вести в одну стадию при 70 С. [29]
Разность потенциалов между точками А и Р должна быть тогда равна потенциалу элемента и может быть определена измерением расстояния АР. [30]
Страницы: 1 2 3 4