Потенциал - выход
Cтраница 3
Согласно формуле (62.1) контактная разность потенциалов между первым и вторым металлами равна разности работ выхода для второго и первого металлов, деленной на элементарный заряд, или просто разности потенциалов выхода для второго и первого металлов. [31]
 |
График потенциальной энергии электрона в двух. [32] |
Согласно формуле (44.2) контактная разность потенциалов между первым и вторым металлами равна разности работ выхода для второго и первого металлов, деленной на элементарный заряд, или просто разности потенциалов выхода для второго и первого металлов. [33]
Если имеется ряд последовательно соединенных металлических проводников ( находящихся при одинаковой температуре), то разность потенциалов между крайними проводниками равна ( как это легко заключить на основании формулы (23.1)) просто разности их потенциалов выхода, как и для двух непосредственно соприкасающихся проводников. В частности, если на обоих концах цепи находятся одинаковые металлы, то разность потенциалов между ними равна нулю. Это обстоятельство, впрочем, уже заранее очевидно: если бы между одинаковыми проводниками существовала разность потенциалов, то при замыкании цепи в ней возник бы ток, в противоречии со вторым началом термодинамики. [34]
Тп, Т1Ш - температура нагрева и кипения вещества; Д5 - средняя площадь микролунки; г ог - амплитуда тока в г - тый полупериод; Ua - анодное падение потенциала; ф - потенциал выхода электрона. [35]
Если имеется ряд последовательно соединенных металлических проводников ( находящихся при одинаковой температуре), то разность потенциалов между крайними проводниками равна ( как это легко заключить на основании формулы ( 23 1)) просто разности их потенциалов выхода, как и для двух непосредственно соприкасающихся проводников. В частности, если на обоих концах цепи находятся одинаковые металлы, то разность потенциалов между ними равна нулю. [36]
Атп-объем и масса этого слоя; t - среднее время формирования элементарного взрыва; п - среднее число элементарных взрывов ( микролунок) в i -тый полупериод; тп - масса паровой фазы, эмиттирован-ной за i-тый полупериод; Я, у - средние теплопроводность и плотность вещества; с - средняя удельная теплоемкость вещества; г и г - удельные теплоты плавления и испарения и r r r; Тн, Ткп - температура нагрева и кипения вещества; А5 - средняя площадь микролунки; / ог - амплитуда тока в t - тый полупериод; Ua - анодное падение потенциала; ф - потенциал выхода электрона. [37]
Если потенциал выхода для металла р меньше потенциала выхода для полупроводника и-типа Si n), то происходит преимущественный переход электронов из металла в полупроводник, в приграничном слое которого возникает обогащенный слой подобно представленному на рис. 10.9. Такой контакт проводит ток в обоих направлениях и используется для конструирования выводов полупроводниковых приборов. [38]
Если потенциал выхода для металла м меньше потенциала выхода для полупроводника - типа Pei / W) TO происходит преимущественный переход электронов из металла в полупроводник, в приграничном слое которого возникает обогащенный слой подобно представленному на рис. 10.9. Такой контакт проводит ток в обоих направлениях и используется для конструирования выводов полупроводниковых приборов. [39]
Очевидно, что электронная эмиссия по отношению к работе выхода электронов изменяется противоположным образом. Поскольку потенциал выхода электронов связан с эмиссией электронов логарифмической зависимостью, уже малые различия в потенциале выхода электронов вызывают сильные изменения в токе эмиссии. Насколько чувствительно реагирует электронная эмиссия на наличие адатомов, показывает следующий пример. [40]
Если металл находится в электрическом поле, работа выхода снижается на величину е еЕ, где е - заряд электрона, а Е - напряженность поля. Чтобы снизить потенциал выхода на 1В, требуется напряженность внешнего поля 0 2 - 107 В / см. ( Мы видим что в обычных электронных приборах влияние внешнего поля на работу выхода будет незначительным. [41]
Если металл находится в электрическом поле, работа выхода снижается на величину е еЕ, где е - заряд электрона, а Е - напряженность поля. Чтобы снизить потенциал выхода на 1В, требуется напряженность внешнего поля 0 2 - 107 В / см. ( Мы видим, что в обычных электронных приборах влияние внешнего поля на работу выхода будет незначительным. [42]
Фотоэлектрические измерения Хантера [6] также противоречат предположению де - Бура о сравнительно большой энергии активации образования поверхностных окисей. Согласно измерениям Хантера, потенциал выхода фотоэлектронов для некоторых металлов при комнатной температуре не возрастает при окислении, как этого следовало бы ожидать согласно схеме де - Бура, а падает; только образование толстого слоя высокотемпературной окиси на поверхности металла приводит к увеличению потенциала выхода. [43]
Следует заметить, что величину тока в цепи можно определить и косвенным путем. Для этого достаточно измерить потенциал Uu выхода ПСУ относительно плюса станционной батареи. [44]
Этот процесс количественно определяется значением потенциала выхода л равного отношению работы выхода к заряду электрона. [45]
Страницы: 1 2 3 4