Результирующий потенциал

Cтраница 3

Поэтому, если с внешним гидратированным гелевым слоем стеклянного мембранного электрода соприкасается раствор пробы, рН которого неизвестен, по результирующему потенциалу на поверхности раздела фаз можно найти рН раствора этой пробы. Теперь покажем, как проводят измерение рН на практике. [31]

Как показано в книге [8], попытка Хампе доказать существование действующей на свободные электроны возвращающей силы, пропорциональной отклонению центра масс электронного облака от центра металлической частицы, является недоразумением, основанным на произвольном сосредоточении всех электронов в одной точке. На самом деле электроны, как и положительный заряд ионного остова, распределены равномерно по всей частице, так что внутри нее результирующий потенциал оказывается постоянным. Ошибочность теории Хампе особенно наглядно проявляется в невозможности получить из нее правильное классическое выражение для поляризуемости металлической частицы. Однако, несмотря на очевидную несостоятельность описания свободных электронов гармоническими осцилляторами, эта концепция усиленно развивалась в работах 1976, 983 - 985, 981 ], а в работе [986] она была использована для оценки влияния межзонных переходов на плазменный резонанс в малых металлических частицах. Между тем в рамках классической электродинамики правильная трактовка проблемы собственных колебаний электронов малой частицы возможна только путем строгого решения уравнения Лапласа с учетом граничных условий. [32]

Если электронный газ резко обрывается на поверхности желе, то не будет эффективного потенциала, который в состоянии удерживать электроны в металле. Следовательно, электронный газ должен выходить за пределы металла и создавать там дипольный слой, изображенный на рис. 17.5. Бардин выполнил самосогласованный расчет результирующего потенциала, Заметим, что приближение Томаса - Ферми для этого 17.5. Модель желе для поверхности HP гпггатгя И ч НРГО гпелу - металла. Плотность ионов NWOi, резко не годится, из него следу обрывается на поверхности, а электрон-ет, как нетрудно увидеть, ная плотность тянется значительно даль1 - что уровень Ферми должен ше. [33]

На рис. 78 изображены кривые изменения потенциала системы из двух атомов в зависимости от расстояния г между их ядрами. Кривая / отвечает потенциалу сил притяжения, а кривая II - потенциалу сил отталкивания. Результирующий потенциал изображен сплошной кривой, которая ассимптотически приближается к горизонтальной прямой. [34]

Однако метод КНР, как и метод ППВ, лимитируется предположением об МТ-формс потенциала кристалла, нахождение которого здесь также не свободно от произвола. Так, для кристаллов АЛ В8 с решеткой алмаза или ZnS [74 - 78] и качестве исходного потенциала обычно берется сумма атомных потенциалов по Герману - Скиллману плюс некоторая обменная добавка. При этом результирующий потенциал атомов Л, В довольно далек от сферической симметрии, Чтобы придать ему МТ-форму, рассматривается суперпозиция атомных потенциалов Fcyn вдоль линии А - В. [35]

Таким образом, остается оболочка из положительной материи на одной стороне тела и оболочка из отрицательной материи на другой. Можно считать, что ими и создается результирующий потенциал. [36]

Этим 15 % - ным снижением учитывалось, что волна грозового перенапряжения, набегающая по одному проводу ( на одну фазу), наводит на двух других напряжение того же знака, что уменьшает разность потенциалов между фазами. Однако необходимо принимать во внимание также действие рабочего напряжения. Его знак на данной фазе может быть противоположен знаку наведенного импульсного напряжения, а результирующий потенциал фазы ( полюса) электрооборудования может быть сильно снижен или даже приобрести обратный знак. [37]

Обозначение тетродов. [38]

Величина общего тока катода определяется суммарным потенциалом, создаваемым в пространстве между первой сеткой и катодом. Как и у триода, потенциал в плоскости первой сетки тетрода неодинаков в различных точках. Поэтому для расчета величины тока катода целесообразно заменить неравномерный потенциал в плоскости первой сетки результирующим потенциалом, создающим у катода поле, эквивалентное полю, создаваемому за счет суммарного воздействия потенциалов первой и второй сеток и анода. [39]

Сеточный ограничитель. [40]

В схеме сеточного ограничителя по максимуму ( рис. 132, а) участок сетка - катод действует как диод в схеме параллельного диодного ограничения. При подаче на вход синусоидального напряжения мвх в его положительный полупериод в цепи сетка - катод протекает сеточный ток / с. Этот ток на резисторе Ro создает падение напряжения, минус которого приложен к управляющей сетке, вследствие чего ее результирующий потенциал снижается, приближаясь к нулю. В результате изменения входного напряжения не влияют на величину анодного тока и выходное напряжение остается неизменным. [41]

Анодно-сеточные характеристики пентодов. [42]

Для управления анодным током в пентоде в некоторых случаях используется не только управляющая, но и защитная сетка. При подаче на защитную сетку значительного отрицательного напряжения - t / Cs ( при этом - U с 1const) результирующий потенциал между витками этой сетки оказывается отрицательным. Тормозящее действие этого потенциального барьера настолько велико, что все электроны отражаются и возвращаются к экранирующей сетке. Лампа оказывается запертой напряжением - / УОЗ-t / сзо и анодный ток равен нулю. По мере уменьшения напряжения - Ucs потенциальный барьер уменьшается и все большее число электронов устремляется к аноду. Изменение тока / а происходит за счет перераспределения потока электронов между экранирующей сеткой и анодом. Влияние потенциала t / сз на объемный заряд у катода в пентоде ничтожно мало, и поэтому катодный ток остается практически неизменным. При более отрицательных Ун плотность электронного потока меньше и анодный ток меньше зависит от напряжения t / сз. [43]

Если проводник не уединен, то потенциал, приобретаемый им при сообщении ему определенного заряда, существенно зависит от формы и расположения других проводников. Конечно, этот процесс связан с перераспределением заряда и на самом индуцирующем проводнике. Таким образом, потенциал заряженного проводника оказывается суммой потенциалов собственного перераспределившегося заряда этого проводника и зарядов, индуцированных им на других проводниках. Определение зависимости этого результирующего потенциала р, а вместе с тем и емкости проводника С е / ip от формы и расположения смежных с ним проводников связано, вообще говоря, со значительными математическими трудностями. [44]

Если проводник не уединен, то потенциал, приобретаемый им при сообщении ему определенного заряда, существенно зависит от формы и расположения других проводников. Конечно, этот процесс связан с перераспределением заряда и на самом индуцирующем проводнике. Таким образом, потенциал заряженного проводника оказывается суммой потенциалов собственного перераспределившегося заряда этого проводника и зарядов, индуцированных им на других проводниках. Определение зависимости этого результирующего потенциала ф, а вместе с тем и емкости проводника Ce / q от формы и расположения смежных с ним проводников связано, вообще говоря, со значительными математическими трудностями. [45]

Страницы: 1 2 3 4