Минимальный потенциал

Cтраница 3

Из получившейся диаграммы видно, что минимальному потенциалу светлых нефтепродуктов соответствует площадь прямоугольника АБУС, которая отражает отбор керосина, равный его потенциалу. Максимальному потенциалу светлых нефтепродуктов соответствует площадь прямоугольника АБЛМ, что отражает отбор керосина, равный О % ( мае. [31]

Однако для обычных условий работы расстояние поверхности минимального потенциала от катода составляет всего 10 - 30 мкм. Как видно из рис. 2 - 9, эффективное использование малых расстояний сетки от катода для увеличения крутизны характеристики требует в то же время уменьшения шага сетки, что в свою очередь ведет к необходимости одновременного снижения диаметра проволоки для навивки сетки с целью сохранения требуемой ее проницаемости и однородности. При этом црактически достигаемые значения удельной крутизны ( в ма / в на каждый миллиампер анодного тока), как, например, в случае высокочастотных пентодов и особенно для широкополосного усиления ( § 18 - 1), все же оказываются более чем на порядок ниже предельного теоретического ее значения, равного 11 ма / в / ма. Таким образом, возможность увеличения крутизны характеристики за счет снижения расстояния между сеткой и катодом далеко еще не исчерпана. [32]

Если используется ядро 1 / г, то такой минимальный потенциал и в самом деле создается электрическими зарядами на проводящем множестве. [33]

Траектории движения электронов в постоянных скрещенных электрическом и магнитном полях. [34]

Допустим, что в некоторый момент времени на поверхности минимального потенциала К появился электрон. [35]

Схема электростатической фокусировки луча.| Схема магнитной фокусировки луча. [36]

Описанный тип электронной оптики обеспечивает глубокую модуляцию тока пучка при минимальных потенциалах управляющего электрода без существенного нарушения величины пятна на экране. [37]

Качественная картина распределения потенциала и траекторий электронов в плоском диоде, когда объемный. [38]

Для удобства вообразим, что между электродами диода проведена эквипотенциальная плоскость минимального потенциала. [39]

Из условий симметрии заключаем: в случае плоских параллельных электродов поверхность минимального потенциала также представляет собой параллельную катоду плоскость; в случае соос-ных круглых цилиндров-круглую цилиндрическую поверхность и той же осью, что и у катода. [40]

Из условий симметрии заключаем: в случае плоских параллельных электродов поверхность минимального потенциала также представляет собой параллельную катоду плоскость; в случае коаксиальных круглых цилиндров - круглую цилиндрическую поверхность с той же осью, что и у катода. [41]

Для грунтов с высоким удельным сопротивлением ( более 100 ом-м) значения минимального потенциала с омической составляющей должны быть определены экспериментально. [42]

Для грунтов с высоким удельным сопротивлением ( более 100 Ом м) значения минимального потенциала с омической составляющей должны быть определены экспериментально. [43]

В [ 3-диоде электроны движутся в ускоряющем поле и каждый электрон, влетевший из а-диода через плоскость минимального потенциала в 3-диоц, обязательно попадет на анод. [44]

Второй режим работы диода характерен тем, что при нем на кривой распределения потенциала существует минимум, но минимальный потенциал отличен от нуля. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5