Cтраница 4
![]() |
Схема измерения термоэлектронной эмиссии управляющей. [46] |
Основная погрешность этого метода заключается в том, что при подаче на сетку большого отрицательного запирающего потенциала, к моменту измерения сеточного тока уже происходит быстрое изменение температуры электродов лампы, а в том числе и управляющей сетки, которое приводит к спаду термоэлектронной эмиссии и уменьшению тока утечки. Принимая также во внимание инерционность гальванометров, измеренные этим методом значения тока термоэлектронной эмиссии совместно, с током утечки оказываются несколько преуменьшенными. [47]
Следовательно, по сравнению с предыдущим примером, когда напряжение Uc было синусоидально, мощность выпрямителя запирающего потенциала уменьшилась в 2 5 раза, а амплитуда обратного напряжения на диоде уменьшилась в 1 7 раза. [48]
Фотоэлектронная эмиссия из натрия, освещаемого светом с длиной волны 4339 А, подавляется посредством приложения запирающего потенциала 0 810 В, в то время как для длины волны 3125 А запирающий потенциал равен 1 930 В. Используя эти данные, найдите постоянную Планка в единицах СИ. [49]
В ( см. рис. 6 - 11); при этом необходимо следить за сохранением постоянства запирающего потенциала каждого плеча токового узла согласно расчетным данным. [50]
Сигнал, пропорциональный der / dt, подается на обмотку гибкой связи по ЭДС усилителя ОУУ через запирающий потенциал, пропорциональный току главной цепи. При выборе зазоров ток главной цепи мал, гибкая связь действует и ограничивает ускорение в требуемой степени. После выбора зазоров ток якоря возрастает за счет большой присоединяющейся массы и запирающий потенциал прекращает действие гибкой связи. [51]
При этом неравновесные носители могут уходить из области базы также через эмиттер ( эмиттерное рассасывание), запирающий потенциал базы повышается и передается коллектору в виде выброса напряжения, противоположного полярности источника, питающего коллекторную цепь. На время эмиттерного рассасывания ток коллектора увеличивается сверх значения / к. У транзисторов, изготовляемых методами диффузии примесей и не предназначенных для работы в быстродействующих переключающих схемах, время рассасывания может быть больше определяемого ф-лой ( 2 - 184) вследствие накопления избыточных носителей в объеме вы-сокоомной коллекторной области. [52]
![]() |
Структурная схема усилителя ПТДУ-М. [53] |
В служит для выключения усилителя данного направления передачи в процессе эксплуатационных испытаний путем подачи на базу транзистора запирающего потенциала. [54]
Остаточное напряжение на коллекторе транзистора Тх, равное нескольким десяткам милливол1 т и подаваемое на базу транзистора Т, компенсируется запирающим потенциалом, которкй подается через резистор R с плюсовой шины дополнительного источника питания. Следовательно, потенциал базы транзистора Уа приблизительно равен потенциалу общей шины и транзистор полностью закрыт. [55]
Последнее служит для смещения начала процесса размагничивания генератора, в результате работы обмотки УМСП в точку отсечки, когда наступает равенство запирающего потенциала и падения напряжения на участке главной цепи между точками 20 и 40, от которых производится питание обмотки отсечки. Направление тока в этой обмотке выбирается таким образом, чтобы при действии отсечки генератор размагничивался. [56]
Трансформатор блокинг-генераторз ТБГ выполнен с обмоткой Ш которая служит для отрицательного поднэгничивавня сердечника в целях уменьшения габаритов ТБГ, получения стабильного запирающего потенциала на базе Т3 в паузе между импульсами, экранирование схемы блокинг-генератора от помех в цепях силовых вентилей. [57]
![]() |
Упрощенная схема защиты автомата Электрон. [58] |
С является открывающей для диода ЗД, однако в нормальном режиме он заперт, так как его аноду через сопротивление 13R подан запирающий потенциал. Напряжение на конденсаторе 1C при этом близко к нулю, так как он зашунтирован открытым транзистором 2Т и диодом ЗД, а напряжение на конденсаторе 2С невелико. На запертом диоде ЗД размыкается цепь положительной обратной связи блокинг-генератора и он затормаживается. [59]