Cтраница 2
Практически у диодов характеристика начинается при небольшом отрицательном потенциале анода, достаточном для торможения электронов, обладающих наибольшими начальными скоростями. Величина этого потенциала зависит от температуры катода, определяющей начальные скорости электронов. [16]
![]() |
Схема включения триода. [17] |
Сеточный ток может протекать и при небольших отрицательных потенциалах сетки относительно катода. Он создается падающими на сетку электронами, обладающими достаточными для этого начальными скоростями. [18]
Во включенном состоянии база триода находится под небольшим отрицательным потенциалом и поэтому через эмиттер течет ток. [19]
![]() |
Характеристики передачи по току ( а и обратной связи ( б транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [20] |
В схеме с общим эмиттером на базу подается небольшой отрицательный потенциал, поэтому ток в цепи коллектора можег появиться лишь тогда, когда потенциал коллектора будет ниже потенциала базы. Ток коллектора сначала нарастает быстро, а затем на его изменение влияние отрицательного потенциала коллектора сказывается меньше. Характеристики имеют наклон к оси абсцисс, что объясняется некоторым воздействием коллекторного напряжения на эмиттерный переход через коллектор и базу. [21]
В схеме с общим эмиттером на базу подается небольшой отрицательный потенциал, поэтому ток в цепи коллектора может появиться лишь тогда, когда потенциал коллектора будет ниже потенциала базы. Ток коллектора сначала нарастает быстро, а затем на его изменение влияние отрицательного потенциала коллектора сказывается меньше. Характеристики имеют наклон к оси абсцисс, что объясняется некоторым воздействием коллекторного напряжения на эмиттерный переход через коллектор и базу. [22]
Практически у диодов анодный ток начинает протекать при небольшом отрицательном потенциале анода, не достаточном для торможения электронов с наибольшими начальными скоростями. Величина этого потенциала зависит от температуры катода, определяющей начальные скорости электронов. Когда анодный ток ста-новится равным току эмиссии катода, дальнейший его рост практически прекращается - наступает насыщение. [23]
Катодная защита устанавливается для того, чтобы обеспечить на трубе небольшой отрицательный потенциал по отношению к земле. При правильном расчете катодной защиты для труб, имеющих покрытия, получается минимальная утечка защитного тока на другие конструкции. Для труб с битуминозными покрытиями, активное сопротивление которых составляет 0 1 Мом на каждые 0 3 м длины трубы, необходимый защитный ток может быть равен всего лишь 0 1 а или еще меньше на 1 600 м трубы. [24]
Падение напряжения на сопротивлении открытого диода D7 и транзистора Т4 создает небольшой отрицательный потенциал и значительно закрывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается. [25]
ЩИЙ термит, металл которого по отношению к металлу трубы обладает небольшим отрицательным потенциалом. [26]
Запертое состояние транзисторов Т2, ТЗ поддерживается в течение времени перезаряда конденсатора С1 до небольшого отрицательного потенциала, достаточного для открытия транзисторов Т2 и ТЗ. [27]
![]() |
Основные электрические величины, характеризующие режим лампового генератора. [28] |
Восстановление действия генераторной лампы происходит при нажатии рукоятки бдительности и возбуждении реле Б, при этом на управляющей сетке оказывается небольшой отрицательный потенциал, при котором лампа начинает генерировать; с возбуждением реле А через его фронтовой контакт подается напряжение на анод и экранную сетку генераторной лампы. [29]
![]() |
Пролетный ( а и отражательный ( б клистроны. [30] |