Необходимый потенциал
Cтраница 4
Рассмотрим процессы, происходящие на поверхности капли и в слое около поверхности. На поверхности капли при достижении необходимого потенциала происходит разряд ионов. Образовавшийся металл растворяется в ртути, образуя амальгаму. Если в растворе были, например, ионы цинка, то при достижении потенциала - 0 97 в начинается выделение атомов цинка на поверхности капли и образование амальгамы. Теперь ионы цинка из раствора вследствие диффузии начнут поступать в приэлектродный слой. Этот процесс диффузии обусловливает, как упоминалось выше, возникновение предельного диффузионного тока, дающего полярографическую волну на вольт-амперной кривой. [46]
Рассмотрим процессы, происходящие на поверхности капли и в слое около поверхности. На поверхности капли при достижении необходимого потенциала происходит разряд ионов. Образовавшийся металл растворяется в ртути, давая амальгаму. Если в растворе, например были ионы цинка, то при достижении потенциала в 1 1 в начинается их выделение на поверхности капли, и образование аЦльгамы цинка. [47]
 |
Ряд напряжений в воде при 25 С. [48] |
Из таблицы видно, что на электродах сначала будут разряжаться те ионы, потенциал разряда которых имеет наименьшую абсолютную величину. Это справедливо в условиях обратимого процесса. С изменением концентрации данного иона в растворе минимальный теоретически необходимый потенциал: ( обратимый потенциал электрода) существенно изменяется. [49]
 |
Ряд напряжений, в воде при 25 С. [50] |
Из таблицы видно, что на электродах сначала будут разряжаться те ионы, потенциал разряда которых имеет наименьшую абсолютную величину. Это справедливо в условиях обратимого процесса. С изменением концентрации данного иона в растворе минимальный теоретически необходимый потенциал ( обратимый потенциал электрода) существенно изменяется. [51]
 |
Схема с непосредственной связью. Стрелками обозначено направление. [52] |
В транзисторных же схемах все устраивается значительно проще. Разница потенциалов невелика, и потенциалы базы и коллектора должны иметь по отношению к эмиттеру тот же знак, тогда как у ламп сетка должна быть отрицательной, а анод - положительным. Поэтому в схемах на транзисторах можно без труда сообщить каждому электроду необходимый потенциал, создавая соответствующее падение напряжения на подобранных для этого резисторах. [53]
 |
Концентрация ионов ( ммоль / л и раз-вости потенциалов мея. - ду двумя сторонами клеточной мембраны. [54] |
Почему JNa изгоняется из клетки, a YS в ней остается в избыточной концентрации. Первые клетки возникали, по-видимому, в морской воде ( см. § 17.1) и состав межклеточной среды, например плазмы крови, близок к составу морской воды. Наоборот, количество К в среде, в морской воде, настолько мало, что необходимый потенциал получается при внутриклеточных концентрациях, на порядок меньших. [55]
При псевдоселективной коррозии коэффициент избирательного растворения Z резко меняет свои значения в зависимости от условий, определяющих кинетику реакции восстановления ионов благородного компонента. Последняя, прежде всего, зависит от перенапряжения. Интерметаллические фазы, где благородным компонентом является железо, кобальт или никель, не могут разрушаться по псевдоизбирательному механизму, так как потенциалы восстановления ионов этих металлов в кислых растворах не достижимы, а в нейтральных - трудно подобрать такой неблагородный компонент, который сообщил бы интерметаллической фазе необходимый потенциал. [56]
Источником ВЧ-напряжения, питающего дифференциальный Q-метр, является двухконтурный генератор, принцип действия которого рассмотрен выше ( см. стр. Напряжение высокой частоты снимается со средней точки колебательного контура Ь3, Сй генератора. Этот контур через конденсатор Ct включен в анодную цепь генераторной лампы по схеме параллельного питания; дроссель LL и конденсатор С ] 5 являются ВЧ-фильтром, устраняющим проникновение ВЧ в цепь источника анодного напряжения. Ri C2 служат для обеспечения необходимых потенциалов управляющей и экранной сеток тетрода Л R - сопротивление утечки генераторной лампы. [57]
Страницы: 1 2 3 4