Световые потери - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
В истоке каждой ошибки, за которую вы ругаете компьютер, вы найдете, по меньшей мере, две человеческие ошибки, включая саму ругань. Законы Мерфи (еще...)

Световые потери

Cтраница 2


16 Поперечное сечение многопереходного солнечного элемента, составленного из вертикально расположенных р-я-переходов. Типичный составной элемент содержит от 50 до 100 отдельных элементов. [16]

В этом элементе по существу отсутствуют потери, возникающие за счет поглощения света токосъемной сеткой, и лишь ширина паяных соединений вызывает световые потери, составляющие не более 5 - 7 % площади элемента.  [17]

В отношении веса и габаритов оба перечисленных решения довольно близки друг к другу. Световые потери, вызванные отражением от поверхностей, меньше в случае применения асферической поверхности благодаря меньшему числу линз.  [18]

Эти относительные числа имеют значение для предметов, лежащих в бесконечности ( установка на со) и характеризуют только геометрические соотношения. Различные световые потери благодаря поглощению и отражению у объективов различных типов при этом не учитываются.  [19]

Таким образом, сложный интерферометр обладает разрешающей способностью прибора с толстой пластиной и спектральной величиной области дисперсии прибора с тонкой пластиной. Недостатками интерферометра является сложность юстировки и большие световые потери.  [20]

Выполнение этого требования необходимо, поскольку в камерах цветного телевидения имеются большие световые потери в светорасщепительной оптике при делении светового потока на три компоненты.  [21]

Для современных оптопар допускаются потоки нейтронов Фи - 1012ч - Ю14 см-2 и доза излучения DT105 Гр. При этом время задержки в оптопаре возрастает в 2 - 3 раза по сравнению с первоначальным. Из-за изменения коэффициента пропускания материала ИИ вызывает в оптическом канале оптопары световые потери, которые могут достигать 10 - 20 дБ при Ф Ю15 см-2 и Z) V 104 - M06 Гр. Эти потери вызваны изменением химических свойств материала.  [22]

Для уменьшения рекомбинационных потерь в преобразователе применяют высокочистые материалы с регулярной структурой, большими значениями диффузионной длины и временем жизни носителей, подбирают соотношения между глубиной залегания p - n - перехода от поверхности и размерами области генерации носителей. Кроме того, увеличивают толщину перехода, изменяют профиль легирования примесями р-об-ласти для образования внутреннего поля, снижают концентрацию примесей вблизи поверхности кристалла и принимают другие меры с целью уменьшения скорости поверхностной рекомбинации. Создание уровней ловушек в запрещенной зоне полупроводника увеличивает рекомби-национные потери, но снижает световые потери.  [23]

Потери света в пучке волокон через их боковую поверхность уменьшают контраст и разрешение переданного изображения. Если свет распространяется вдоль волокна параллельно его оси, то значительная часть света проходит по промежуткам между волокнами пучка. При круглом поперечном сечении волокон этот свет проводится в промежутках в основном вследствие отражений Френеля и частично благодаря преломлению из соседних волокон. В деформированных волокнах наблюдаются световые потери через плоские участки граней волокна, и этот свет может попадать в соседние волокна и передаваться по ним путем полного внутреннего отражения. Изображение щели шириной 200 мкм при помощи системы линз f / Ю проецировалось на такую пластину ( рис. 4 а); контактная фотография у противоположной поверхности показала изображение щели ( рис. 4, б), ширина которой составляла приблизительно 350 мкм, что вполне соответствовало ожидаемой ширине щели в 300 мкм при плотной укладке волокон. Однако при передаче изображения щели на излучатель Ламберта, нанесенный на одну поверхность пластины, и при контактном фотографировании щели у другой поверхности наблюдается увеличение ширины изображения щели ( рис. 4 0) до 1 25 мм.  [24]

Фототранзистором называют фотоэлемент с двумя или большим числом электрических переходов. Фототранзисторы позволяют одновременно с преобразованием световой энергии в электрическую осуществлять также и усиление фототока. У фототранзистора типа п-р - п ( рис. 11.15) один из n - слоев имеет меньшую площадь, чем два других слоя, что позволяет свету проникать к p - n - переходу, созданному между р-слоем и другим n - слоем. Толщина р-слоя делается весьма малой - такой, при которой световые потери незначительны.  [25]



Страницы:      1    2