Cтраница 2
Повышение быстродействия интегральных схем заслуживает более подробного обсуждения. В определенных пределах степень интеграции и быстродействие не зависят друг от друга. Следовательно, повышение быстродействия должно осуществляться прямым путем. Они связаны с заменой кремния полупроводниковыми материалами с более высокой подвижностью носителей заряда, в частности арсенидом галлия и фосфидом индия, с переходом к более низким рабочим температурам и с уменьшением размеров электронных компонентов. [16]