Потеря - излучение
Cтраница 1
Потеря излучения через пропускающее зеркало, следовательно, определяется взаимодействием излучения внутри резонатора с резервуаром сжатых вакуумных мод гармонических осцилляторов. [1]
В идеальном лазере потери излучения за счет пропускания краев резонатора представляют собой полезное выходное излучение устройства Поскольку потери, связанные с пропусканием, можно выразить через эквивалентный коэффициент поглощения ( - lnRiR2) / 2d, отношение этой величины к / СА ( / СРС Кдаф) представляет собой отношение испущенного излучения к поглр-щенному внутри. [2]
При прохождении видимого света сквозь обычное неокрашенное стекло потери излучения составляют 6 - 20 % при толщине стекла 1 - 2 мм, 10 - 30 % при толщине 2 - 4 мм и 20 - 40 % при толщине 4 - 8 мм. Прозрачность стекол уменьшается в результате процесса их выветривания ( см. разд. [3]
Этот метод является не очень точным, так как потеря излучения в воздухе происходит в результате не только поглощения, но и рассеяния. [4]
При исследовании образца, находящегося в тонкодисперсном состоянии, имеют место потери излучения за счет рассеяния. Такого же рода потери возникают из-за шероховатости и помутнения поверхности пластинок, и для достижения наилучших результатов следовало бы их полировать перед снятием спектра каждого образца. Однако в обычной лабораторной практике это делается значительно реже. [5]
 |
Волноводы. а - круглый, б - прямоугольный. [6] |
Достоинствами волновода являются его простота и меньшие по сравнению с коаксиальным кабелем потери излучения. [7]
В заключение напомним, что все значения КПД в этом разделе рассчитаны в предположении о нулевых оптических потерях излучения ( отражение света от поверхности СЭ, затенение контактами) и нулевых рекомбинационных потерях фотогенерированных электронно-дырочных пар до их разделения р-тг-переходом. [8]
Поток излучения, равный произведению энергетической яркости пучка на его светопроводность, не меняет своей величины ( если пренебречь потерями излучения на отражение от границы раздела), как и должно быть согласно закону сохранения. [9]
Ток /, вызывающий нагрев термосопротивления, выбирают таким, чтобы рабочая температура проволоки не превышала 100ч - 120 С. При такой температуре потери излучения тепла от термосопротивления будут незначительны. [10]
Интенсивности падающего светового потока / о и светового потока /, прошедшего через раствор, можно определить экспериментально. При относительных измерениях поглощения света истинными растворами потерями излучения вследствие отражения и рассеяния обычно пренебрег гают. [11]
Интенсивности падающего светового потока / о и светового потока /, прошедшего через раствор, можно определить экспериментально. При относительных измерениях поглощения света истинными растворами потерями излучения вследствие отражения и рассеяния обычно пренебрегают. [12]
Интенсивности падающего светового потока / о н светового потока /, прошедшего через раствор, можно определить экспериментально. При относительных измерениях поглощения света истинными растворами потерями излучения вследствие отражения и рассеяния обычно пренебрегают. [13]
 |
Спектральная зависимость коэффициента собирания Q носителей заряда в солнечном элементе на основе a - Si. Н с р - i - / г-структурой 1-го типа. [14] |
На рис. 6.9 показана кривая спектральной зависимости коэффициента собирания носителей заряда в солнечных элементах с р - i - я-структурой первого типа. Наблюдаемое уменьшение коэффициента собирания в коротковолновой области вызвано главным образом потерями излучения вследствие его поглощения в верхнем легированном слое. Диодный коэффициент освещенных элементов с р - i - / г-структурой равен - 1 1 [39], что свидетельствует о слабой рекомбинации носителей в области перехода. Несмотря на то что световые характеристики элементов на основе a - Si: Н б лизки к идеальным, их темновые вольт-амперные характеристики оказываются плохими. [15]
Страницы: 1 2