Поток - основной носитель
Cтраница 2
Если р-область полупроводника более низкоомна, чем га-об-ласть ( несимметричный переход), то поток основных носителей из р-области будет превышать поток основных носителей из re - области. Когда, например, концентрация дырок в р-области в 100 раз больше концентрации электронов в re - области, то дырочный ток в 100 раз больше электронного. [16]
Открытым является коллекторный переход, а эмиттерный переход закрыт, поэтому через коллекторный переход протекают потоки основных носителей, а через эмит терный переход - потоки неосновных носителей. [17]
Эмиттерный переход открыт, а коллекторный переход закрыт, в этом режиме через эмиттерный переход протекают потоки основных носителей, а через коллекторный переход - потоки неосновных носителей. Активный режим работы является основным режимом работы транзистора. [18]
Канал полевого транзистора представляет собой область полупроводника с электропроводностью типа п, изменением поперечного сечения которой регулируется поток основных носителей через прибор. [19]
По мере перехода основных носителей заряда это поле усиливается и возрастает разность потенциалов между полупроводниками, вследствие чего потоки основных носителей уменьшаются. Потоки неосновных носителей при этом не меняются, поскольку они пропорциональны концентрации неосновных носителей. Изменение разности потенциалов не влияет на концентрацию неосновных носителей, а следовательно, и на потоки неосновных носителей. Подобный процесс происходит до тех пор, пока потоки основных и неосновных носителей заряда не станут уравновешивать друг друга. [20]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [21] |
Если к нагретому р-п переходу подвести напряжение внешнего источника в непропускном направлении, то из-за увеличения высоты потенциального барьера поток основных носителей уже при весьма малых значениях внешнего напряжения практически прекратится; динамическое равновесие будет нарушено и в цепи останется ток неосновных носителей, почти не зависящий от приложенного напряжения, но во много раз увеличившийся по сравнению с током проводимости ненагретого р-п перехода. [22]
Если р-область полупроводника более низкоомна, чем га-об-ласть ( несимметричный переход), то поток основных носителей из р-области будет превышать поток основных носителей из re - области. Когда, например, концентрация дырок в р-области в 100 раз больше концентрации электронов в re - области, то дырочный ток в 100 раз больше электронного. [23]
В отличие от биполярных транзисторов, в которых рабочие процессы обусловлены как основными, так и неосновными носителями, в полевом транзисторе управляемый ток представляет собой поток основных носителей через полупроводник с одним типом проводимости. Поэтому полевые транзисторы называются также униполярными. Ввиду невозможности создания глубоко проникающего в толщу полупроводника управляющего электрического поля во всех полевых транзисторах, по крайней мере на части своего пути, поток основных носителей сосредоточивается в тонком слое - канале, сопротивлением которого удается управлять с помощью электрического поля, создаваемого затвором, Отсюда происходит еще одно название полевых транзисторов - канальные транзисторы. [25]
 |
Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [26] |
Таким образом, при образовании слоя объемного заряда устанавливается динамическое равновесие потока неосновных носителей, возникших в результате тепловой генерации в сфере действия объемного заряда, и потока основных носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления противодействия объемного заряда. [27]
При вменении полярности приложенного напряжения ( рис. 1 6) дырки в р-области и электроны в п - области полупроводника будут удаляться от границы раздела, что приводит к увеличению сопротивления р-п перехода, а поток основных носителей уменьшается до нуля. [28]
Аналогично равны друг другу встречные потоки дырок, переходящие из р - в - и из п - в р-полупроводники. Следовательно, при равновесии полупроводников потоки основных носителей тока компенсируются потоками неосновных носителей, протекающими и противоположных направлениях, и результирующий поток носителей через / ( - - переход равен нулю. [29]
 |
Включение полупроводникового диода в электрическую цепь. [30] |
Страницы: 1 2 3