Поток - тепло
Cтраница 2
Потоки тепла и энергии, пропорциональные электрическому току в отсутствие градиента температуры, называют обычно тепловым ( соответственно энергетическим) потоком Томсона. [16]
Поток тепла, проходящий через сечение 1 за промежуток времени dt, будет равен ржсж6ж1 / ж5с ( /, где Уж - скорость движения жидкости. [17]
Поток тепла в уравнении энергии для простоты опущен. Введя лагран-жевы массовые координаты s, t ( см. § 3 гл. [18]
Потоки тепла и импульса являются динамич. [19]
Поток тепла - вектор, иными словами, он должен характеризоваться как величиной, так и направлением. [20]
Поток тепла из газовой фазы в конденсированную увеличивается с ростом давления вследствие увеличения градиента температуры у поверхности. Одновременно она существенно влияет на скорость горения, и в этом смысле во всем изученном интервале давлении ведущими являются как реакции в конденсированной фазе, так и в ды-могазовой зоне. [21]
Поток тепла, следовательно, не меняется при N-процессе. [22]
 |
К выводу дифференциального уравнения неустановившейся теплопроводности. [23] |
Поток тепла, проходящий через элементарный параллелепипед с ребрами dx, dy, dz ( рис, IV-5), можно разложить на три составляющие в направлениях осей координат. [24]
Потоки тепла через круг 0 / - д, г 0 и через круг 0; г a, z - l одинаковы и равны постоянной величине F. Поток тепла через остальные поверхности отсутствует. [25]
Поток тепла в кипящем слое связан не только с процессом переноса тепла частицами, но и с переносом тепла взвешивающим потоком. Поэтому для полного понимания процессов теплопереноса в кипящем слое необходимо также рассмотреть ту часть процесса, которая связана с переносом тепла взвешивающим потоком. [26]
 |
Схема расположения испарительной камеры и радиационных экранов при измерении скорости испарения методом кварцевого резонатора Вода. [27] |
Поток тепла от испарительной камеры повышает температуру кварца в процессе напыления. Экраны / и 2 крепятся к медному основанию 3, которое охлаждается проточной водой. [28]
Поток тепла от полупроводниковой структуры определяется рядом внутренних факторов: теплопроводностью, формой и размерами кристалла, качеством соединения кристалла с основанием, теплопроводностью материала основания, формой и размерами основания прибора, а также тепловым сопротивлением выводов. [29]
 |
К выводу дифференциального уравнения неустановившейся теплопроводности. [30] |
Страницы: 1 2 3 4