Cтраница 4
Совершенно правильная, идеальная кристаллическая решетка, в узлах которой находятся неподвижные ионы, не рассеивает электронные волны. В такой решетке отсутствуют центры рассеяния - неоднородности, искажения правильности решетки, превосходящие по размерам длину де-бройлевских волн. Поток свободных электронов должен проходить сквозь такую решетку беспрепятственно. [46]
Если же внешний источник напряжения подключен плюсом к катоду, а минусом к сетке, то электрическое поле на участке сетка - катод направлено противоположно электрическому полю на участке анод - катод. Такое электрическое поле замедляет поток свободных электронов от катода к аноду. Уменьшается интенсивность потока свободных электронов. Электрическое поле подобного типа называется тормозящим. По мере увеличения напряжения такого знака на участке сетка - катод усиливается тормозящее действие электрического поля. При некотором значении напряжения сетка - катод тормозящее действие электрического поля становится настолько большим, что движение свободных электронов через сетку прекращается. В таком случае говорят, что лампа заперта. Величина напряжения на участке сетка - катод, при котором про исходит запирание электронной лампы, зависит от конструк - ции этой лампы и величины анодного напряжения на ней. [47]
Ионизация толчком или ударом, которая представляет собой расщепление электрически нейтральных атомов воздуха ( или другой среды, в которой помещаются контакты аппарата) на электроны и положительные ионы при их столкновении с электронами, движущимися с поверхности катода. Эти свободные электроны, перемещаясь по направлению от катода к аноду в пространстве с определенной разностью потенциалов, накапливают большой запас кинетической энергии и ионизируют нейтральные атомы-вы-бивая из них электроны. Вследствие этого имеет место увеличение потока свободных электронов. [48]
Электронные приборы, применяемые сейчас на практике; чрезвычайно разнообразны. Следовательно, нужно иметь устройства для получения потоков свободных электронов. Существует три основных способа получения свободных электронов. [49]
Голография после открытия ее Д, Табором в 1948 году оставалась скорее физическим курьезом, до тех пор пока изобретение и быстрое промышленное освоение источников когерентного света - лазеров не превращают ее на наших глазах в универсальный и поразительно тонкий метод получения, хранения и воспроизведения информации. Наконец, использование электрических, а затем и радиоламп в наше время было бы невозможно без промышленного освоения высокого вакуума, позволяющего избавиться от вредного влияния воздуха. Ведь именно разреженная в миллионы раз атмосферная среда придала необходимую живучесть раскаленным металлическим нитям и обеспечила беспрепятственное движение потоков свободных электронов. [50]
Основной причиной, вызвавшей развитие интегральных схем, явилась необходимость значительного снижения стоимости и увеличения надежности элементов и узлов ЭЦВМ. Интегральные элементы независимо от сложности реализуемых ими функций рассматриваются как неделимые целые элементы, из которых конструируются узлы, устройства и вся машина в целом. Благодаря развитию физики твердого тела и технологии сверхчистых материалов оказалось возможным создание полупроводниковых элементов и узлов ЭЦВМ, в которых потоки свободных электронов в кристаллах управляются внешними сигналами. [51]
Теоретическое исследование процессов взаимодействия электромагнитного поля с электронным потоком заключается в совместном решетки уравнений поля и уравнения движения. Уравнения поля описываются уравнениями возбуждения электродинамической системы заданными источниками. Уравнение движения описывает изменения в активной среде под действием электромагнитного поля. Для потока свободных электронов оно сводится к уравнению Лоренца. [52]