Cтраница 1
Диффузионные потоки дырок устанавливаются в области эмиттера и в области коллектора, и. [1]
ЕО, которое тормозит диффузионный поток дырок. Процесс диффузии будет тормозиться электрическим полем внутри полупроводника до тех пор, пока оба эффекта не уравняются. В результате создается равновесие и разность температур Т2 - T. AVo, которую называют объемной термоэлектродвижущей силой. [2]
Поскольку Рр-рп и %, то на границе р-л-перехода возникают диффузионные потоки дырок из р-области в л-область и электронов из л-области в р-область. [4]
Следовательно, через границу двух сред существуют встречные потоки одноименно заряженных частиц: диффузионный поток дырок из р-области и дрейфовый поток дырок из n - области и аналогично диффузионный поток электронов из тг-области и дрейфовый поток электронов из р-области. Электрическое поле ( потенциальный барьер) в переходе растет до такого значения, при котором встречные потоки дырок ( и аналогично встречные потоки электронов) становятся одинаковыми. Наступает состояние равновесия перехода. Установившаяся контактная разность потенциалов в переходе, численно равная разности энергий Ферми ( WF, эВ) р - и п-полупроводни-ка, создает именно такой потенциальный барьер для основных носителей. [5]
Следовательно, через границу двух сред существуют встречные потоки одноименно заряженных частиц: диффузионный поток дырок из р-области и дрейфовый поток дырок из n - области и аналогично диффузионный поток электронов из - области и дрейфовый поток электронов из р-области. Электрическое поле ( потенциальный барьер) в переходе растет до такого значения, при котором встречные потоки дырок ( и аналогично встречные потоки электронов) становятся одинаковыми. Наступает состояние равновесия перехода. Установившаяся контактная разность потенциалов в переходе, численно равная разности энергий Ферми ( WF, эВ) р - и п-полупроводни-ка, создает именно такой потенциальный барьер для основных носителей. [6]
В результате в переходном слое АВ устанавливается такая разность потенциалов ( около одного вольта), при которой диффузионный поток дырок из / 5-области в п-область уравновешивается встречным потоком дырок из п-области в р-область, создаваемым полем переходного слоя АВ. Одновременно уравновешиваются и встречные потоки электронов. Результирующие потоки и дырок и электронов становятся равными нулю. [7]
![]() |
Вачалъная об - Рассмотрим теперь характеристики. [8] |
В точках излома характеристик I С БЭ I - При дальнейшем уменьшении напряжения разность потенциалов коллектор - база становится положительной, коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении и поток дырок из базы В коллектор компенсируется встречным диффузионным потоком дырок из коллектора. [9]
Ипаче обстоит дело, когда имеются носители заряда двух знаков. Диффузионный поток дырок и электронов ( биполярная диффузия) не переносит заряда и не создает противодействующего поля. [10]
Иначе обстоит дело, когда имеются носители заряда двух знаков. Диффузионный поток дырок и электронов ( биполярная диффузия) не переносит заряда и не создает противодействующего поля. Когда подвижности носителей заряда различны, то те из них, которые имеют большую подвижность, первенствуют в процессе диффузии и создают электрическое поле Е, которое ускоряет более медленные заряды и тормозит более быстрые - вплоть до наступления одинаковой скорости диффузии. [11]
В установившемся режиме дырки непрерывно входят в базу через эмиттерный переход и в таких же количествах уходят из базы через коллекторный переход. Таким образом, в направлении от эмиттера к коллектору течет непрерывный диффузионный поток дырок. [12]
![]() |
Движение носителей заряда в р-п переходе. [13] |
Основная масса дырок из р-слоя, где их много, диффундирует слева направо в область перехода, но не может преодолеть потенциальный барьер и, проникнув в переход на некоторую глубину, снова возвращается в р-слой. Дырки n - слоя, как пузырьки, легко всплывают по дну валентной зоны независимо от энергии в р-слой и образуют дрейфовый поток справа налево. Этот поток уравновешивается встречным диффузионным потоком дырок р-слоя, имеющих большую энергию и способных преодолеть потенциальный барьер. Аналогичная картина в движении электронов: электроны р-слоя свободно скатываются в п-слой - это дрейфовый ток. Этот электронный поток уравновешивается потоком электронов n - слоя, обладающих большой энергией. [14]
При наличии градиента концентрации избыточные электронно-дырочные пары диффундируют от р - - перехода к концу - базы. Одновременно из р - - перехода в - базу входят новые дырки, а для компенсации их заряда через контакт к базе входят электроны. Таким образом, в базе существует диффузионный поток дырок и электронов от р - - перехода к выводу базы и встречный дрейфовый поток электронов от вывода базы к р - - переходу. [15]