Появление - отрицательный заряд
Cтраница 3
Ярко выраженная ионная селективность рассматриваемых смол объясняется тем, что четвертичные аммонийные группы в основном сохраняют высокую степень диссоциации, несмотря на изменение диэлектрической проницаемое среды. Слабоосновные группы амберлита IR 45 значительно менее электрохимически активны в средах с низкой диэлектрической проницаемостью, например в водноорганических смесях. Слабоосновные группы малоактивны даже в водной среде по отношению к таким ионам, как Сг2С7 -, СгО и 52Оз -, а взаимодействие между анионами сильного электролита и слабоосновными аминогруппами в мембране вызывает появление отрицательных зарядов на мембране, в результате чего мембрана начинает вести себя как катионообменник. В растворах однозарядных анионов такое изменение знака заряда не наблюдается, возможно, из-за замедленного переноса отрицательных зарядов по поверхности мембраны. [31]
В случае первичных изотопных эффектов эти затруднения не столь серьезны. Так, если бы отношение Кн / Ко в реакции образования карбанио-на ( 1 - 4) и ( 1 - 5) оказалось бы равным не 12, а, например, 10, 7 или даже 4, можно было бы все же по-прежнему полагать, что разрыв С - Н - или С - D-связей происходит почти в переходном состоянии. С другой стороны, чтобы получить какую-либо полезную информацию о механизме реакции ( 1 - 6) и ( 1 - 7) из данных по вторичным изотопным эффектам, следует прежде ответить на ряд вопросов, а именно: насколько строение переходного состояния приближается к конфигурации карбаниона; действительно ли карба-нион плоский; каким образом изотопное замещение влияет на переход от тетраэдрической к плоской тригональной конфигурации; связаны ли эти изотопные эффекты с появлением отрицательного заряда на центральном атоме углерода, и если да, то какова величина заряда в самом переходном состоянии. [32]
Однако гюявляется еще одна особенность его работы. Если во входной цепи имеет место ток, например сеточный ток у электронных ламп или ток базы у транзисторов, то он может зарядить разделительный конденсатор, что приведет к смещению рабочей точки прибора. Особенно опасно указанное явление в ламповых усилителях, где сопротивление между сеткой и катодом для постоянного тока очень велико. Появление отрицательного заряда на правой обкладке разделительного конденсатора Сс может привести к запиранию лампы. [33]
Результаты аналитического решения уравнения Пуассона качественно интерпретируются следующим образом. Внешнее электрическое поле перемещает свободные носители заряда в полупроводнике до тех пор, пока они своим зарядом не скомпенсируют внешнее поле. Это значит, что при подаче на металл отрицательного потенциала относительно полупроводника поле направлено от полупроводника к металлу, оно перемещает электроны в глубь полупроводника, а дырки к поверхности, и приповерхностный слой, заряжаются положительно. Положительный потенциал металла приводит к появлению отрицательного заряда в приповерхностном слое. В зависимости от типа электропроводности полупроводника это приводит либо к обогащению, либо к обеднению слоя носителями заряда с последующей инверсией типа электропроводности. Если приложение поля происходит мгновенно, то заряд образуется в течение времени, равном времени релаксации Максвелла. Указанную на рис. 103 структуру, состоящую из металлического электрода, полупроводника и разделяющего их слоя диэлектрика - воздуха, - можно рассматривать как плоский конденсатор, одной из обкладок которого и является полупроводник. Это позволяет оценивать величину объемного заряда по толщине слоя диэлектрика и разности потенциалов между полупроводником и металлом. Изменяя потенциал металла, можно изменять объемный заряд. Если система электродов М позволяет получить электрическое поле определенной конфигурации, то и заряд в приповерхностном слое будет отражать конфигурацию внешнего поля. Меняя конфигурации внешнего поля, мы тем самым изменим конфигурацию объемного заряда и проводимость приповерхностных слоев. [34]
 |
Строение коллоидной частицы кремниевой кислоты. [35] |
Ядро частицы составляет агрегат из от молекул кремниевой кислоты. На поверхности ядра адсорбируются потенциалопределяю-щие гидросиликат-ионы. Часть противоионов натрия ( п - х) адсорбируется на частице и удерживается электростатическими силами притяжения потенциалопределяющих ионов. Не полностью компенсированный заряд потенциалопределяющих ионов вызывает появление отрицательного заряда у частицы кремниевой кислоты. В электрическом поле коллоидная частица вместе с адсорбционным слоем перемещается к одному полюсу, а ионы диффузного слоя - к противоположному. Если бы коллоидная частица перемещалась в электрическом поле только с потенциалопределяющими ионами, то электрокинетический потенциал должен быть равен термодинамическому потенциалу ф0, возникающему между поверхностью частицы и раствором. Наличие в адсорбционном слое про-тивоинов снижает величину потенциала, и электрокинетический потенциал составляет часть полного потенциала. Если граница диффузного слоя совпадает с границей адсорбционного ( х0), то электрокинетический потенциал равен нулю. Такое состояние коллоидной частицы называется изоэлектрической точкой. В изоэлек-трической точке коллоидные частицы теряют устойчивость, укрупняются и выпадают в осадок. [36]
Однако в действительности распределение заряда в молекуле нарушается в присутствии другого заряженного тела: молекула, как говорят, становится поляризованной. Это является одним из примеров явления индукции. Давно известен факт, что если электрический заряд приближается к проводнику, то на прилежащей стороне проводника индуцируется заряд противоположного знака, а заряд того же знака индуцируется на противоположной стороне. Аналогичным образом положительный конец диполя смещает электрические заряды в соседней молекуле, вызывая появление отрицательного заряда на ближайшей ее стороне и положительного заряда на противоположной стороне; другими словами, в другой молекуле индуцируется диполь. Взаимодействие между индуцирующим и индуцированным диполем всегда дает притяжение. Это составляет индукционный эффект Дебая. [37]
Он, однако, правильно передает симметрию взаимного расположения ионов, что уже достаточно для качественного объяснения. Рисунок 72 а соответствует недеформированному кристаллу. На грани Л, перпендикулярной к оси Х, имеются выступающие положительные заряды, а на параллельной ей грани В - выступающие отрицательные заряды. При сжатии вдоль оси Х ( рис. 726) элементарная ячейка деформируется. При этом положительный ион 1 и отрицательный ион 2 вдавливаются внутрь ячейки, отчего выступающие заряды ( положительный на плоскости А и отрицательный на плоскости В) уменьшаются, что эквивалентно появлению отрицательного заряда на плоскости А и положительного заряда на плоскости В. При растяжении вдоль оси Х имеет место обратное ( рис. 72 в): ионы 1 и 2 выталкиваются из ячейки. Поэтому на грани А возникает дополнительный положительный заряд, а на грани В - отрицательный заряд. [38]
Страницы: 1 2 3